除此之外Hynix还拿出了它们在目前广泛应用的DDR3 DRAM上的最新研究成果。新的4Gbit DDR3颗粒采用23nm CMOS工艺和2层铜+1层铝配线制造，硅片面积仅为30.9mm2，设定运行电压为1.2V相当于超低电压版的DDR3U水平。23nm工艺的应用使得制造成本方面的竞争力也有很大提高。
Hynix新DDR3的核心照片
Hynix新DDR3样品的主要规格
比较可惜的是，一贯在ISSCC上沉寂的美光(Micron)此次仍然没有动作，而日本尔必达(Elpida)由于受困于债务等因素同样没有出席，使得ISSCC这两年成为了三星和Hynix的“二人转”。
