ISSCC 2012上三星电子同样发表了它们的LPDDR3样品：单颗容量为4Gbit，基于30nm制造工艺，设定运行电压为1.2V，IO界面为32bit。最 高可在85度环境中工作，电压最低可至1.05V，此时运行速度可达1.6Gbps，功耗低至406mW。32bit的整个芯片可达到 6.4GByte/s的传输速度。
三星4Gbit LPDDR3的核心照片
三星LPDDR3的速度测试结果
DDR4和LPDDR3内存样品实物、规格首曝
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