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DDR4和LPDDR3内存样品实物、规格首曝

  不过全球最大存储芯片厂商三星到底不会让我们失望,这次三星和另一家韩国半导体大厂Hynix(海力士半导体)就在ISSCC 2012上拿出了真正的DDR4内存芯片样品。三星电子的样品基于30nm CMOS工艺和3层金属配线技术制造,单颗容量为4Gbit,设定运行电压为1.2V。实际运行的电压为1.14V,测定传输速度为 3.3Gbps(DDR4-3300)。当然,在三星20nm半导体生产线已经投入运行的情况下,DDR4 DRAM未来肯定会使用更先进的20nm制程工艺,频率将会比等效3300MHz更高。

三星DDR4 DRAM主要规格曝光
三星4Gbit DDR4 DRAM的核心照片和主要规格

三星DDR4 DRAM主要规格曝光
三星DDR4 DRAM的数据测定结果

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