而Hynix拿出的颗粒样品容量为2Gbit，制造工艺基于38nm CMOS和3层金属配线技术，设定运行电压同样为1.2V。实际运行频率为2.4Gbps(DDR4-2400)，考虑到制造工艺为38nm也算是个不错的数字。而和DDR3 DRAM同样运行于2133Mbps的带宽时，新的DDR4内存颗粒工作电压仅为1.0V，消耗的电能对比DDR3可降低8成。
Hynix 2Gbit DDR4 DRAM的核心照片和主要规格
Hynix DDR4样品与DDR3的比较测试结果
DDR4和LPDDR3内存样品实物、规格首曝
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