三星SSD 830系列内部一览

　　更高控制器：更大的公路

　　三星升级了其控制器以达到处理6 Gb / s的能力，先前用于470系列驱动器的最大控制器(S3C29MAX01)采用的是双核ARM Cortex - A9设计。而在830系列中其内置了另一个Cortex - A9核心，形成了一个三核心控制器。除了一些固件能优化性能之外，控制器的核心越多越能提高处理能力，将使SSD有更快的速度来处理更多的I / O请求。

　　如同其之前的驱动器一样，三星仍然采用八通道的设计。

　　内存缓存区的设计也没有改变。830系列的控制器仍采用的是256 MB的DDR2- 800 DRAM来缓存数据，并作为三个A9内核的暂存空间。

　　27纳米切换模式1.0

　　三星的830系列NAND还因为其27纳米工艺而达到了一个较小的光刻节点，而此前的470系列SSD则采用的是32纳米节点。

　　虽然其仍旧使用的是32GB闪存，当你拆开驱动器就可以看到，其总共使用了8个内存模块，总共256GB，而470系列虽然也是256GB，但其却使用了16个内存模块。

　　三星认为其通过切换DDR NAND模式，能够提供与Micron和英特尔的ONFI接口相媲美的性能。目前几家主流厂商所使用的DDR NAND模式切换均是有三星和东芝提供的。

　　切换模式内存其最大的问题在于成本太高，但三星公司表示，其将会继续压低27纳米节点和DDR切换模式的价格。