为什么第二代34nm X25-M SSD的性能这么强呢？这有很多方面的原因，我们首先指出，这个和缓存有很大关系，为了搞清楚这个问题，我们要首先来看看SSD的工作机制：
通常，在MLC中，一个晶体管可以保存两个位的数据（SLC只能保存一位），把多个晶体管聚集到一起，称之为为一个page（页面）。页面是可以写入NAND闪存的最小结构，你无法像硬盘那样，只改写一位，或者数位的数据。大部分MLC NAND闪存的一个页面的大小是4KB。
NAND晶体管原理图
多个页面就组成了一个block（块），在Intel的MLC SSD（第一代如此，第二代应该也如此）中，一个块包含128个页面（也就是512KB），块是可以擦除的最小结构。当写入SSD时，一次必须写入4KB的数据；当从SSD擦除数据时，一次不得不删除整个512KB。不过擦除一般发生在写入新数据的时候，如非快速的格式化，以及在删除但未清除的文件尸体上写入文件。在空白区域上写入文件不需要先擦除。
以上就是一些基本的原理，它们对SSD的性能是怎么样的呢？首先，它在MLC本身较为缓慢的写入性能上面进一步地限制了写入性能：为了改动一个页面（4KB）上的一个位或者几个位，你需要写入整个4KB；如果你在装满了文件的SSD当中删除文件再写入，那么你要先进行擦除文件才能进行写入——并且要先读取这个块中存储的有用的数据，这个问题叫做Write Amplification（写入放大）。这也造成了SSD的整体写入性能看起来比读取要低。
这些问题可以通过缓存来得到缓解，大量随机的写入数据经过重新映射，有顺序的写入，而在这之前，SSD就已经报告任务已经完成。没有缓存的SSD则只能按照顺序来忍受写入放大的痛苦。此外，业界也开发了一种叫做Trim的技术来弥补这个问题：在IO空闲的时候，通过Trim技术，SSD将会自行整理记录块结构，以降低可能会发生写入放大的影响。34nm X25-M据说会在未来的Firmware中提供Trim特性支持，但是50nm X25-M就没这么幸运了。不管如何，目前的Windows 7和34nm X25-M（Firmware 02G2）还没看到有Trim支持的现象。
为了体现出34nm X25-M SSD在相关方面的性能，我们进行了下面简单的测试：512B、4KB、64KB、1MB几种IO块大小下的随机读写性能：
IOMeter 2006.07.2性能测试：随机IOps
IOMeter 2006.07.2性能测试：随机IOps
可以看出，配置了32MB缓存的34nm X25-M在各种数据块下的表现都很不错，这表明无论在什么样的IO状况之下，34nm X25-M都能很好地完成任务——除了前面提到过的512B在大队列深度下的情况，在Intel修复这个问题之前，最好避免使用高队列深度的512B块大小。然而从Windows Vista起磁盘IO就已经倾向于使用更大的IO区块，因此这种情况不用太担心。
IOMeter 2006.07.2性能测试：MBps
IOMeter 2006.07.2性能测试：MBps
可以看出，对于Intel的SSD来说，0.5MB或者1MB的操作区块是比较好的，上图使用的是传统的64KB区块来进行的最大传输速率测试，结果略不及在前面的图中的1MB区块性能。
