那么下一步我们应该做什么呢?

　　我们认为增加MLC的性能和耐用性至关重要。

　　MLC性能和耐用性

　　SSD耐久性

　　SSD的耐久性是指SSD能够承受的数据反复写入的次数，以及数据保存的有效期。由于NAND 闪存的耐久性是有限的，所以SSD的耐久性也是有限的。NAND耐久性主要用PE周期来衡量，一个PE周期是指将数据写入内存和擦除之前的时间段。而由于SSD采用了内部管理算法，这就导致额外的NAND写入会超出主机写入。SSD衡量的是主机TB级写入(TBW)。

　　写入放大因子

　　写入放大因子(WAF)=将主机的数据写入量分割成NAND数据写入量，写入方法因子高度依赖用户的工作负载和固件算法。超量配置允许用户在满足性能的前提下，最大限度地减少写入因子，评估工作负载以及由此产生的写入放大因子，可满足性能需求。最大限度地减少写入放大可增加SSD的耐久性。

　　多级单元NAND基础

多级单元NAND的基础

　　NAND程式设计与隧道氧化层降解

NAND程式设计与隧道氧化层降解

　　隧道氧化降解是降低耐久性的首要因素

　　由于隧道氧化层降解而产生的写入故障直接导致SSD的耐用性。

　　循环和编程精度

原始误码率的增加超出了ECC校验机制也将降低SSD耐用性

循环次数、循环率以及存储温度都会影响到数据的保存时间

SLC和ICL与循环的糟糕结合，也会大大影响数据的保存时间

　　此外，闪存的内在阵列问题也将影响SSD的数据保存时间。那么如何来解决上述的一系列问题呢?通过使用基于SSD的MLC技术可为数据中心存储提供高耐久性需求。