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2010IDF看英特尔固态硬盘现状及策略

  固态硬盘耐久性—不容忽视的重要因素

  固态硬盘一直以其超高的性能、很小的体积以及超低的功耗收到人们的青睐,然而固态硬盘的价格和耐久性一直是用户所顾忌的因素,随着固态硬盘成本的逐渐降低,横越在用户面前的难题只有耐久性这一点。而耐久性决定了固态硬盘的使用寿命,这直接关系到用户的使用效果和成本。在此次IDF上,英特尔也单独通过一个技术讲座来讲解固态硬盘耐久性。

  图九:英特尔认为企业级固态硬盘的耐久性可以定义为硬盘寿命期内所能写入的随机数据的总量。当然,英特尔目前只有基于SATA接口的固态硬盘,所以英特尔所指的固态硬盘耐久性目前只是针对SATA接口的固态硬盘。英特尔基于SATA接口的固态硬盘目前主要有两种:X25-M(采用MLC技术) 和X25-E(采用SLC技术),英特尔的企业级耐久性定义标准为:4KB随机写入,覆盖所有的逻辑块地址(LBA),队列深入为32,写入缓存在开启状态。

  影响固态硬盘耐久性的因素主要有:NAND闪存技术、写入负荷以及容量储备,下面将逐个介绍这三个因素对固态硬盘的影响。

  图十:NAND闪存技术。目前NAND闪存技术主要有两种形式:SLC(单层存储)和MLC(双层存储)。SLC NAND具备两个电学状态,不同状态间有更大的间隔,因此具备更好的写入性能和数据保持能力;MLC NANS具备四个电学状态,每个结构单元有双倍的位密度,相对于SLC来说,在写入能力和纠错能力上较差,需要优化应用方法。

  图十一:写入负荷对耐久性的影响。固态硬盘在顺序写入的时候,性能提升幅度最大。因此写入负荷为顺序还是随机都对固态硬盘的耐久性产生影响。

  图十二:英特尔认为减少用户可用容量有助于耐久性的提升(备用空间容量增加)。英特尔举出例子:以160GB的X25-M固态硬盘,如果减少10%的容量,则可获取2.8倍的耐久性提升。

  如何延长基于SATA接口的固态硬盘寿命,让固态硬盘具备更好的耐久性?英特尔给出了他们的答案。应该说英特尔提供的这方面的信息对于用户来说非常值得学习。

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