ONFi 3.0—标准制定让速度增倍

　　闪存领域不同于处理器领域，英特尔的分量还没有达到在处理器的高度，去年爆出的英特尔固态硬盘在Windows 7上TRAM缺陷就是一个很好的例子。面对东芝和三星的竞争压力，英特尔再次祭出了标准化的招数，强调NAND闪存是唯一没有标准接口的消费类存储器，NAND闪存接口标准化同样需要加快推进。

　　图六：开放式NAND闪存接口(ONFi)组织成立于2006年5月份，致力于推动NAND闪存接口的标准化，目前已有90多个成员。英特尔技术专家Amber·Huffman表示，目前ONFi组织目前的工作主要有两方面，从ONFi 3.0开始进一步提升NAND接口性能，从200MT/s到400MT/s，同时与ONFi 1.0和ONFi 2.0兼容;另外一个方面就是致力于零纠错码的NAND发展。将依赖于NAND制程的功能从控制器中剥离出来，以减轻主控的负担，使得NAND性能得到进一步提升。

　　图七：ONFi3.0将通过更短的信道(控制器到NAND芯片的距离)，信号间有更宽的间距，片内终止技术(ODT，ON-Die Termination)，互补时钟和数据滤波信号等技术提升NAND接口性能。

　　图八：片内终止技术(ODT)对ONFi 3.0至关重要。ODT能够让每个逻辑单元(LUN，芯片)可以作为任何卷的终止器，初始化的时候，每个LUN都根据其即将终止的卷来作相应设置。当指令发到一个卷的时候，其对应LUN会跟踪转台并在数据传输结束的时候及时终止。

　　英特尔希望通过NVMHCI和ONFi尽快标准化，一方面加快固态硬盘向更高性能发展，同时也利用标准化的过程，达到自身在固态硬盘领域的领导地位。当然，东芝和三星以及其他厂商也并不会袖手旁观，结果如何?年内就会见分晓!