F5100闪存模块性能指标

　　下表中列出了F5100闪存模块的一些重要指标项，来自于SUN公司提供的Datasheet，其中我们也发现了一个显而易见的疏漏。

这里应该是TB，对吧?

F5100闪存模块性能指标

　　最高可以配备1.92TB的SLC NAND闪存，外界猜测其由STEC提供。主机总线适配器的固件来自LSI。Sun表示，这一产品有64条 SAS通路(16×4端口)，4个域和SAS分区，其可以执行160万的读取IOPS和120万的写入IOPS，带宽为12.8/s(一个新的记录!)。Sun表示，这一产品读取IOPS的数值等同于14机柜3000块硬盘驱动器的工作总数字。F5100相比之下只占用百分之一的空间和功耗。

　　单独的24GB闪存模块的MTBF为200万小时。这样的80个模块总容量为1.92TB。一个480GB的产品有20个模块，960GB的则有40个。480GB产品拥有397K的读取IOPS，960GB产品拥有795K的读取IOPS，这一产品可以在添加闪存模块的同时增加IOPS和带宽。这一产品的读取延迟为0.41ms，写入延迟0.28ms。

　　Sun将这一产品定位于Oracle和MySQL数据库的加速器。该设备可被划为16个分区，每一块分区可支持最多16个主机。该设备可以形成Sun ZFS混合存储池的一部分来整合固态和硬盘驱动器。其通过StorageTek Common Array Manager Software进行管理，并以更好的容器替代了电池来对备份系统进行保护。如果电源出现故障，能源系统会将DRAM转移到闪存防止数据丢失。