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深入解析SUN公司最新全闪存阵列F5100

  【IT168 专稿】经过一个多月的谣传和等待,最新的SUN F5100闪存阵列出现在SUN公司的官方网站上,发布的绝大多数细节都和先前公布的相符,但事实上有一项非常重要的性能指标却比先前公布的指标要高。

  SUN F5100全闪存阵列概览


Sun F5100 前视图

   其主要的组件包含80个闪存模块,每个闪存模块提供24GB的存储单元,所以整台存储提供的容量接近2TB。更大容量的48GB闪存模块我们非常期盼,但是目前并没有官方的发布。每个闪存模块的后端支持4个存储单元,并配置基本的电容单元保证电源发生故障时系统能安装关闭,配备两个冗余的电源供给。


SUN F5100内部架构

  外部连接提供16x4-宽SAS接口(共64个)。这个闪存模块是基于SLC的,拥有2百万小时的平均无故障时间指标。SUN提供的持久性(50% 读取/50% 写入)接近6年时间。F5100提供20、40、80个闪存模块的三种不同配置方式;最基本的配置需要45,995美元,最大的包含80闪存模块的配置高达159,995美元。


Sun F5100 顶视图

  这些钱可以让你在1U的空间里获得非常惊人的性能,并且是最低的能耗使用。每个Sun F5100阵列的高度都与1U机架单元的高度相同,并可以分区和连接成多达16个单独的主机,这样单个F5100就可以供多个应用环境使用。F5100阵列配备了统一管理和监控软件,可在单一存储管理窗口中管理多个操作系统。

  F5100闪存模块性能指标

  下表中列出了F5100闪存模块的一些重要指标项,来自于SUN公司提供的Datasheet,其中我们也发现了一个显而易见的疏漏。


这里应该是TB,对吧?
F5100闪存模块性能指标

  最高可以配备1.92TB的SLC NAND闪存,外界猜测其由STEC提供。主机总线适配器的固件来自LSI。Sun表示,这一产品有64条 SAS通路(16×4端口),4个域和SAS分区,其可以执行160万的读取IOPS和120万的写入IOPS,带宽为12.8/s(一个新的记录!)。Sun表示,这一产品读取IOPS的数值等同于14机柜3000块硬盘驱动器的工作总数字。F5100相比之下只占用百分之一的空间和功耗。

  单独的24GB闪存模块的MTBF为200万小时。这样的80个模块总容量为1.92TB。一个480GB的产品有20个模块,960GB的则有40个。480GB产品拥有397K的读取IOPS,960GB产品拥有795K的读取IOPS,这一产品可以在添加闪存模块的同时增加IOPS和带宽。这一产品的读取延迟为0.41ms,写入延迟0.28ms。

  Sun将这一产品定位于Oracle和MySQL数据库的加速器。该设备可被划为16个分区,每一块分区可支持最多16个主机。该设备可以形成Sun ZFS混合存储池的一部分来整合固态和硬盘驱动器。其通过StorageTek Common Array Manager Software进行管理,并以更好的容器替代了电池来对备份系统进行保护。如果电源出现故障,能源系统会将DRAM转移到闪存防止数据丢失。

  同期推出的F20 PCIe卡

  Sun使用了同样的闪存技术发布了一个94GB的闪存卡F20,连接到服务器的PCIe总线。其由四个24GB的闪存模块组成,并且包含一个DRAM缓存。其读取IOPS可达10万,写入IOPS可达84000。

  F20还包含主机总线适配器技术,可以为连接到8个内部SAS或者SATA盘的SAS磁盘控制器或SATA设备的SAS硬盘控制器提供方便。Sun的ZFS可以在混合存储池中整合F20。而数据保护方便则由F5100的系统执行。

  F20在类似PCIe连接闪存领域的竞争对手包括Fusion-IO等厂商,而一般来说,为读取I/O加速需要比磁盘驱动器I/O更快。这在概念上也类似于NetApp的性能加速模块(PAM)。F5100还更类似于Texas Memory Systems基于闪存的RamSan产品,这一产品的应用是把整个数据库存储在闪存中。

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