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2015年度IT168技术卓越奖名单:存储篇

  技术卓越奖名单:

  技术卓越奖:英特尔3D XPoint闪存

  产品介绍:3D XPoint是25年来内存芯片市场上首次出现的突破性新技术,比优异SSD还快5倍。

  自从1989年NAND闪存技术问世以来,提升速度、容量及可靠性一直是NAND闪存不变的追求,但NAND闪存一直在量变而非质变。今年7月29日,英特尔与美光联合发布了3D XPoint闪存技术。英特尔表示,该技术的速度和耐用性是目前NAND闪存的1000倍,密度更是NAND的10倍。未来,通过3D XPoint闪存制造的产品速度将远高于PCI-E、SATA接口的SSD,每通道6GB/s的带宽更接近于内存,可满足高速运算应用的需求,如机器学习与8K画质的游戏等等。

  此外,英特尔还发布了同样基于3D XPoint技术的DIMM内存条,这个内存条可比传统DDR内存提供最多4倍的高容量、最低1/2的成本,而且接口和电气特性兼容现有DDR4,可平滑过渡。这也是历史上第一次将非易失性技术应用于系统主内存,3D XPoint DIMM内存可以直接插在服务器上使用,主要面向数据中心、大数据分析等领域。 

 技术卓越奖:英特尔3D XPoint闪存

  ▲技术卓越奖:英特尔3D XPoint闪存

  获奖理由:

  DRAM内存速度快、延迟低,但是断电就会丢失数据,NAND则正好相反,两者各有致命的缺陷。而3D XPoint闪存吸取了以上两者的精髓。它是一种基于电阻的非易失性内存存储方案,读取延迟10纳秒级别,使用寿命即全盘写入1000万次级别,均介于传统DRAM、NAND之间。非易失性技术方案其实不少,但英特尔3D XPoint是第一个完整成熟起来并快速投入商用化的。

  英特尔和美光的工厂已经开始生产3D XPoint闪存,首款使用3D XPoint闪存的产品预计在2016年问世,将使用20nm工艺、双层堆栈的128Gb核心闪存。

  一句话点评:

  作为第一个快速投入商用化的非易失性闪存存储产品,英特尔3D XPoint的非易失性不仅可以用于NAND硬盘,还可以用于RAM内存等,可以说是推动闪存进步的“划时代”产品。

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