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存储界的战斗机 论全闪存阵列选择之道

  IBM Flash System:与企业应用相匹配

  2013年上半年,存储厂商对于闪存技术都给予了高度的关注。2月下旬,NetApp发布了其首款全闪存阵列EF540,不到两周之后,EMC发布了新的Xtrem闪存产品家族,包括已开始向精选客户交付XtremIO全闪存阵列。两大独立存储厂商先后推出全闪存阵列,让闪存大战持续升温。IBM也紧随其后推出了FlashSystem,进一步将全闪存热度推向了新的高度。

  TMS成果初现

  过去五年,IBM存储产品线历经了脱胎换骨的变化。IBM在存储研发方面进行了大规模的投入,并收购了一系列存储领域具备独特知识产权的初创公司,整合其产品技术对自身产品线进行完善。去年IBM在存储领域的重要收购则当属Texas Memory Systems(TMS)公司,基于TMS在闪存领域的独特知识产权,IBM FlashSystem全闪存阵列正式问世。

  FlashSystem三大优势:高性能、稳定性以及简易性

  目前该系列产品包括四款产品,型号为IBM FlashSystem 710、FlashSystem 810、 FlashSystem 720、 FlashSystem 820。FlashSystem产品都采1U机架式机箱,内置Flash闪存芯片采用eMLC或SLC技术,最高端FlashSystem 820的可用储存容量高达24.7TB,搭配42U高度的机柜,最高可扩充至超过1000TB储存容量。

IBM:打造三层闪存生态圈 推广闪存应用

  ▲IBM Flashsystem系统外观

  全闪存阵列在应用中最大的问题在于,如何把闪存的基本存储原理与企业应用匹配,让企业感受到闪存无以伦比的性能和承载能力。不过在这方面,IBM已宣布投入10亿美元研发资金,用于设计和创建新的闪存解决方案,并将其集成到日益增多的服务器、存储系统和中间件中。

  IBM FlashSystem全闪存阵列包括高性能、稳定性以及简易性三大竞争优势。

IBM:打造三层闪存生态圈 推广闪存应用

  ▲IBM Flashsystem系统示意拓扑

  高性能:FlashSystem是与服务器直连的闪存阵列,能够通过最少的资源消耗提供极致性能,可以降低85%批处理作业时间和90%OLTP处理时间,仅需要25-100微秒的I/O时延。另外,FlashSystem能够提供高端阵列的吞吐能力,实现对数据库十几倍性能的提升。

  FlashSystem不同于在传统磁盘存储架构下添加固态盘的模式,整体从底层硬件上就针对SSD进行优化,缩短从CPU到SSD的读取路径,大大提升存储性能

  稳定性:IBM FlashSystem采用SLC闪存或eMLC,与同类产品相比具有更长寿命;采用2DRAID保护和4级自我保护,具备极高的可靠性。同时,FlashSystem能够通过与SVC集成提供高可用性。全冗余设计能够保证业务连续性,非常适用于“数据经济”中的关键业务场景。

  超凡简易:IBM FlashSystem在1U空间内能够提供24TB存储容量,50万IOPS只需300W功耗,一天之内即可完成安装配置,运维成本极低。

  此外,在经济性方面,相对于传统磁盘,IBM FlashSystem能够帮助企业降低30%的整体成本,包括38%的软件支出和35%的运营支出,同时提升50%存储利用率并减少17%服务器。凭借IBM FlashSystem,企业可以在一个地板格上存放1 Petabyte 数据,通过压缩功能还能提升高达100%,极大程度地减少占地面积。目前,IBM FlashSystem已经广泛应用在OLTP、OLAP、虚拟化、高性能计算和云计算等领域。

IBM:打造三层闪存生态圈 推广闪存应用

  ▲Flashsystem内存插槽示意图

  三大重点目标客户

  IBM FlashSystem有三类重点目标客户。第一,数据库的客户,尤其是Oracle数据库,因为Oracle的客户使用Database/数据仓库、大数据方面很可能会遇到性能方面的挑战。第二是SAP,即ERP、CRM等应用,这些应用同样要求很高的性能。第三是与IBM其他产品线整合,例如FlashSystem与SVC相整合。SVC可实现存储虚拟化,与FlashSystem可搭配成为分层存储解决方案。鉴于小企业大多不需要如此快的速度,FlashSystem主要还是针对中高端存储市场。

  未来路线:改进工艺制程 追求更高密度

  谈到FlashSystem的未来路线图,IBM副总裁、IBM系统与科技部企业级存储产品线总经理周谂畬透露, IBM的闪存技术追求更高的密度,目前FlashSystem 820做到了1U 24TB容量,未来,FlashSystem的IO密度和容量都会持续提升。而更进一步的计划不仅仅包括核心技术的投资,甚至包括工艺制程方面的改进,现在的闪存技术基于20纳米,以后会有19纳米、15纳米的工艺制程。

  官网地址:http://www-03.ibm.com/systems/cn/storage/flash/index.shtml

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