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东芝扩建闪存工厂 望突破NAND容量限制

2013-07-10 10:24    ZDNet 来源:ZDNet  作者: zdnet 编辑: 蔡思萌

  【IT168 资讯】东芝公司已经表示将对位于日本三重县四日市的Fab 5 NAND制造工厂进行扩建,而就在此前SanDisk也公布了类似的计划。

  庞大的四日市工厂显然在各个建筑物之间建起了地下轨道,而每新建一栋建筑、地铁站点也将相应增加。

  SanDisk与东芝还共同建立了一家闪存代工合资企业,其目的在于向下一代工艺技术过渡,也就是由目前的19纳米制造工艺向10纳米迈进。

  此次扩建还将为NAND的更新换代做好准备,即通过垂直通道或者通孔实现各层连接,从而打造出3D芯片。这种方式能够在继续使用原有制造设备而无需引入新工艺技术的前提下,提升NAND芯片的容量限制。

  一般说来,新的工艺技术意味着存储单元更小、性能更低而且工作寿命更短。业界普遍认为亚10纳米级别NAND单元在性能及耐久性方面恐怕比较糟糕,而且目前尚未有合适的控制器技术来抵消这些负面因素。

  但3D芯片设计思路的出现一方面让NAND芯片拥有高于以往的存储容量,同时提供可以接受的速度与耐用性,而产品成本也不至于面临显著提高。希望3D NAND能够为亚10纳米工艺带来容量突破的全新方向。


东芝闪存Fab 5工厂效果图

  我们也期待包括现代、美光及三星等企业在内的其它闪存代工运营商尽早公布自己的工厂扩建计划。只要NAND还未出现供过于求的问题,他们就能够继续保持旺盛的盈利势头。

关键字: 闪存 , 东芝 , nand
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