【IT168 资讯】去年8月，IBM收购了企业级闪存厂商Texas Memory Systems，之后应该一直在进行整合工作。今天我们终于在IBM网站上看到了闪存存储系统(Flash storage systems)产品线，见下图。

　　尽管在此之前，IBM的DS8870高端存储系统等已经可以支持全SSD配置，但那就像如今的惠普3PAR那样，仍然是在为传统硬盘设计的控制器软硬件架构下。而在DRAM、闪存系统和组件方面有着悠久历史的TMS则不一样。

　　我们现在看到的IBM闪存产品线，包括FlashSystem 710和810闪存存储系统(即全闪存阵列)、FlashSystem 720和820闪存高可用存储系统，这些型号基本上就是照搬原来TMS的型号。在服务器内闪存(In-server flash)方面，笔者原本还期待看到原TMS的PCIe SSD，结果有点失望，目前点击链接打开的页面中还是OEM自LSI和Fusion-io的产品。

　　关于FlashSystem的命名规则，上面能够看出XX0三位数字中，第二位“1”表示单控制器而“2”代表HA。那么第一位“7”表示SLC闪存而“8”代表eMLC闪存。关于容量和性能等详细规格大家可以去IBM网站查看，也没有太多的新鲜之处，我就不在这里赘述了。

IBM FlashSystem 810全闪存阵列

　　那么对于FlashSystem 720/820的高可用硬件配置来说，它们在710/810 Module-level Variable Stripe RAID(模块级可变RAID)的基础上，还加入了System-level RAID 5 across modules(跨模块的系统级RAID 5)和可热插拔的闪存模块等特性。

　　至于整合方案中的“Integrate with SVC and Easy Tier”，其实就是利用IBM SAN Volume Controller存储虚拟化设备充当网关，在FlashSystem和传统磁盘阵列之间进行自动分层存储。我们在《中端存储趋势：x86、SSD缓存和虚拟化》一文中曾列出过一个SVC 6节点集群配置的示意图。

　　另外，对于IBM之前说的将Easy Tier将延伸到服务器的应用感知型闪存缓存，也还没有看到，估计要先等IBM自己的PCIe闪存卡吧?无独有偶，惠普去年说的SmartCache也一再跳票，这方面反而是戴尔走在了前面。

　　上图是一台打开的FlashSystem 820，可以看到在大面积的闪存模块上使用了FPGA作为控制器。右侧是冗余的散热风扇，上方有用于掉电(DRAM缓存)数据保护的N+1电池(在这里就是2+1);左上方电源模块下面的位置是一对管理控制处理器，再它们下面分别为双端口8Gb/s FC和双端口40Gb/s QDR InfiniBand主机界面。

　　尽管我们以前对TMS的产品关注不算太多，但在《EMC VFCache创新与否?闪存大战一触即发》一文的末尾，曾经简单介绍过“RamSan-720的高可用建立在双RAID控制器的基础上，底层有被称为“2D Flash RAID”的闪存模块内部(即芯片之间)和跨越闪存模块的RAID 5”。另外在《SPC-1：闪存 vs.磁盘新旧势力的战场》一文中，我们还提到TMS早期一些的RamSan-630全闪存阵列去年曾以400,503 IOPS创造过SPC-1测试的纪录，并且具备$1.05/SPC-1 IOPS这样相对于磁盘系统的优异性价比。