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美光研发DRAM-NAND HDIMM有望突破256GB

2013-02-17 10:03    ZDNet 来源:ZDNet  作者: zdnet 编辑: 李隽

  【IT168 资讯】美光公司正在研发一款与DDR4相兼容的混合型DRAM-NAND存储条,欲以此为契机冲击数据处理领域一直以来由竞争对手的闪存缓存产品支撑的PCIe总线方案。

  DDR4是一套由JEDEC(即电子元件工业联合会)推出的标准化规范,其每秒数据块传输量达到至少21亿个数据块(数据块的大小取决于内存芯片的字节长度),这样的性能表现令DDR3望尘莫及。根据EE Times发布的报告,美光公司有信心在18个月内将其混合型产品推向市场。

  由硅材质打造的内存-闪存集合体将作为混合型动态直插式内存模块(缩写与常见的DIMM一致)投入使用,下图所展示的即为由三星公司推出的DDR4模块。

美光研发DRAM-NAND HDIMM有望突破256GB
▲三星DDR4 DIMM(苹果公司点评:您的握姿不够标准)

  美光公司的混合型DIMM通过控制器芯片继承了高速DRAM与非易失性NAND存储两者的优秀基因。下图显示的正是这款产品的运作概念:

美光研发DRAM-NAND HDIMM有望突破256GB
▲美光DDR4总线HDIMM概念图

  在概念图中,混合型DIMM(简称HDIMM)控制器将与服务器中的DDR4总线相接驳,用于处理DRAM与NAND在访问过程中由延迟所带来的误差。而在制造商打算将NAND闪存替换为相变内存时,我们也可以对非易失性内存(简称NVM)控制器进行更新以适应新的工作机制。由于板件本身同时承载了DRAM与NVM,它就能够在保持DRAM速度优势的同时利用NVM的数据非易失特性。

  但是这么做到底有何意义?DRAM的访问时间通常以纳秒计(即十亿分之一秒),而NAND的访问时间则以微秒计(即百万分之一秒)——在存储领域,NAND已经拥有相当高的普及度,但DRAM却始终打不开局面。换言之,为了获得可以接受的存储容量,我们不得不放弃内存那令人惊叹的传输速度、转而使用速度更慢但容量更大的闪存方案。以下是全新混合型方案的适用方向:

  ·在内存中保存大型数据库;

  ·在NAND前端利用DRAM缓存替代固态硬盘;

  ·具备闪存交换空间的DRAM模块;

  ·DRAM辅助下的闪存块存储。

  美光公司的HDIMM在容量方面已经有望突破256GB,该公司还希望微软的Windows操作系统能够对其方案提供平台支持。微软公司已经对这一概念表达了关注,但并没有做出明确承诺。这种技术真能一飞冲天吗?以目前的参数来看,其发展前景还是有一定保障的,但前提在于其它DRAM及闪存厂商对此表现出足够的兴趣,且能够招徕各操作系统平台的广泛支持。

关键字: 存储条 , 美光
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