【IT168 资讯】据报道，OCZ在一项会议上公布了该公司下一代消费企业级SSD的概况，其中包括三大亮点：采用廉价TLC NAND闪存的消费级SSD，Indilinx下一代可达100000 IOPS的企业级主控和采用该主控的Interpid 3 SSD，以及下一代怪兽级PCI-E SSD NVM Express。
TLC NAND闪存
看起来OCZ期望成为第一个出货采用TLC(Three bit per cell)NAND闪存SSD的厂商，这种闪存要比MLC的成本低上30%。预计OCZ将在2012年第一季度正式出货采用TLC的SSD，读写寿命预计最低4年。TLC NAND闪存也将进入OCZ的企业级产品市场，但预计不会早于2012年第三季度。
对于TLC闪存固有的弱点，OCZ计划引入更好的ECC以及Indilinx nDurance技术，称明年秋季面世的nDurance 2技术可使NAND闪存寿命得到极大提升。
NAND闪存技术成本对比
新的Indilinx主控
OCZ将于2012年1月推出新一代Indilinx消费级SSD主控，可用于SATA与PCI-E两种接口的产品，提供70000 IOPS以及对TLC NAND闪存的支持。
新一代主控对比上代性能增加幅度
在2012年4月-7月之间，OCZ计划推出新Indilinx主控平台的企业级版本。IOPS提升至100000 IOPS，继续支持TLC NAND闪存并且加入提高寿命的nDurance技术。
至于新Indilinx主控的代号或名称OCZ尚未透露。
OCZ Intrepid 3 SSD
OCZ同时透露了基于Indilinx Everest主控的新企业级SSD Intrepid 3，这款产品即为近日推出的OCZ Octane的企业级版产品。OCZ没有提供更多的细节，目前只清楚Intrepid 3 SSD的最大容量将可达到1TB。
NVM Express PCI-E接口SSD
明年一月份OCZ将会试产新的NVM Express PCI-E SSD。新的产品IOPS可达3200000，而前一代Z-Drive R4只有500000 IOPS。由于新解决方案只采用原生的PCI-E ASIC(Application-specific integrated circuit)，对比原有的多芯片设计方案成本可节省50%，同时还可支持TLC NAND闪存。
OCZ PCI-E接口SSD性能比较
预计OCZ新的NVM接口PCI-E SSD将于2012年某个时间段正式上市，命名为OCZ Z-Drive R5。
