目前的固态硬盘产品均基于NAND，相对于另一种闪存类型NOR，NAND能提供极高的单元密度可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度要比NOR快得多。另外NAND读和写操作采用512字节的块，这有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。当然，更重要的是NAND的可擦写次数是NOR的10倍！对于硬盘产品来说，这非常重要！NAND的缺点之一是需要复杂的I/O，而这对一固态硬盘设计来说，并不严重。

　　NAND Flash硬盘产品每个区块可以确保至少100,000次的擦写操作，这相当于普通硬盘的1,000,000小时的MTBF，已经可以满足应用需求。

NAND Flash的基本结构

　　NAND Flash的基本存储单元结构如上图，是典型的N沟道MOSFET，几个这样的单元组成一个可以存储1bit数据的基础闪存单元，称为SLC。

　　NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page，，每页528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area))，每32个page形成一个Block(32*528B)。具体一片flash上有多少个Block视需要所定。