附注:关于SSD的专业术语及接口介绍

　　1、名词解释

　　n Capacity ---------------------容量

　　n Interface type ----------------接口

　　n Random IOPS ------------------每秒读写操作次数

　　n Average seek time -------------平均寻道时间

　　n MTBF----------------------------平均故障时间

　　n Operation temperature ---------工作温度

　　n Shock resistance --------------抗压程度

　　n Shake resistance --------------耐震程度

　　n SLC (Single Level Cell) -------单层单元

　　n MLC (Multi Level Cell) --------多层单元

　　2、SSD接口解释(一)

　　1、SATA的全称是(Serial Advanced Technology Attachment)串行高级技术附件，一种基于行业标准的串行硬件驱动器接口。数据传输率可达到1.5Gb/s

　　2、SATAⅡ是SATA的升级版本，在SATA原有的基础上将数据传输率提高到3.0Gb/s

　　3、eSATA的全称是External Serial ATA(外部串行ATA)，它是SATA接口的外部扩展规范。换言之，eSATA就是“外置”版的SATA。多用于笔记本

　　4、PATA的全称是ParallelATA，就是并行ATA硬盘接口规范，也就是我们现在最常见的硬盘接口规范了。

　　5、UATA即Ultra ATA，高速ATA接口。ATA也被称作IDE，是台式机和工作站中最普遍使用的接口(不过现在基本上已经要被SATA取代了)

　　6、IDE是Integrated Device Electronics的简称，是一种硬盘的传输接口，它有另一个名称叫做ATA(AT Attachment)，这两个名词都有厂商在用，指的是相同的东西。

　　3、MLC和SLC FLash有何区别?

　　SLC和MLC均是NAND Flash的存储原理级技术，也可以理解为目前NAND Flash在存储数据原理方面分道扬镳的一个表现。

　　SLC全称单层式储存 (Single Level Cell)，是指一个Block(块，Flash的基本存储单元，也可称为Cell)只有两种电荷值，高低不同的电荷值表明0或者1，因为只需要一组高低电压就可以区分出0或者1信号，所以SLC最大的驱动电压可以做到很低。

　　SLC因为结构简单，在写入数据时电压变化的区间小，所以寿命较长，传统的SLC Flash可以经受10万次的读写，因此出现坏Block的几率较小，因为存储结构非常简单，一组电压即可驱动，所以其速度表现更好。不过这种一个Block只存储一组数据的模式无法在相同的晶圆面积上实现较高的存储密度，所以只能在工艺制程方面努力进步，才能满足用户在容量方面的要求。

　　MLC(多层式储存—Multi Leveled Cell)是那种充分利用Block的技术，它采用较高的电压驱动，通过不同级别的电压在一个Block中记录两组位信息(00、01、11、10)，这样就可以将原本SLC的记录密度理论提升一倍，这对于曾经工艺制程遇到瓶颈的NAND Flash而言，是非常好的消息。不过MLC除了同制程、同晶圆面积时理论大一倍的记录空间外，存在一些先天的弊端，比如说电压区间更小，Flash就需要更多的CRC校验空间，这会大概占据Block中10%的空间，因此实际使用中同制程同晶圆面积的MLC的容量不到SLC的一倍。

　　MLC与SLC的区别

　　因为电压变化更频繁，所以MLC技术的Flash在寿命方面远劣于SLC，官方给出的可擦写次数仅为1万次，也就是说一张512MB的USB闪存盘，你写入512MB的数据1万次(理想状态)，它就完蛋了，这可能是MLC最要命的一个缺点。

　　MLC技术的Flash还有一个缺点，它的读写速度先天不如SLC，一个Block存储两组位数据，自然需要更长的时间，这里面还有电压控制、CRC写入方式等因素需要考虑。综合而言，SLC在寿命和性能方面拥有独特的优势，不过需要更好的工艺制程才能拥有较大的容量。而MLC虽然在容量方面有先天的优势，但在速度和寿命方面存在先天的不足。