[34nm X25-M SSD固态硬盘赏析2]

　　今天对比的两款X25-M都是160GB容量，但内部构造大为不同。50nm X25-M G1 PCB正反两面各安装了10颗MLC NAND闪存芯片(编号“29F64G08FAMC1”)，单颗容量8GB，而34nm X25-M G2的单颗芯片容量翻番到了16GB(编号“29F16B08JAMD1”)，因此只在正面安装了10颗，背面留空。很显然，一旦Intel和美光联合投资的34nm NAND生产线完全开工，Intel就可以再放上去10颗芯片，推出320GB型号。

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　　装有控制器的正面大同小异，但X25-M G1在闪存芯片和控制器周围使用的黑胶状物体也不见了，但还不清楚这东西的具体用途，可能是一种保护措施，也可能是辅助散热手段。

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　　X25-M G2使用了新控制器，编号从“PC29AS21AA0”改为“PC29AS21BA0”，不过物理封装没有任何变化。

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　　板载缓存变化不小，之前用的是三星16MB 166MHz SDRAM (CAS3)，现在则改成了美光32MB 133MHz SDRAM (CAS3)。很奇怪，容量上去了，速度却下来了。

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　　两代固态硬盘参数对比