【IT168 资讯】2008 年秋天，NetApp 发布了闪存设备使用策略，以多元化的方法帮助加速性能。这些方法包括：

　　使用基于闪存的读缓存
　　支持第三方闪存阵列
　　将固态磁盘（SSD）与NetApp® 磁盘架整合

　　NetApp 白皮书《企业级存储的闪存技术》（Flash Memory Technology in Enterprise Storage）详细阐述了上述方法。2009 年，NetApp 将开始支持这一策略。基于 DRAM 的性能加速模块（Performance Acceleration Module，简称 PAM）作为与基于闪存的缓存类似产品的先驱，已于 2008 年开始出售。你可以阅读 Tech OnTap 文章《无需添加磁盘便可提升性能》（Boost Performance Without Adding Drives）了解更多有关 PAM 的信息。

　　2009 年 2 月 3 日，NetApp 宣布支持Texas Memory Systems （简称 TMS）公司RamSan-500 固态磁盘阵列，并将 NetApp V 系列开放存储控制器与之整合。这一解决方案显著提高了原始性能和性价比。原始性能在存储访问上具有非常好的低延迟（约一毫秒）以及非常高的 I/O 吞吐量。性价比方面，与具有相同性能的磁盘解决方案相比，这一解决方案可以以更低的成本实现相同的 IOPS（I/0 operations per second，简称IOPS，即每秒I/O操作次数），降低了碳排放量。

　　延迟时间通常是评估关键业务流程、分析和交互应用等的性能的唯一重要决定因素。存储延迟往往会导致 IT 环境中架构、设计和部署方面的变化。

　　本文描述了这一全新解决方案所包含的各种因素，列举了可能带来的潜在性能优势，并提出了一些建议，帮助你判断你的应用是否可以从这一解决方案中获益。

V系列/RamSan 解决方案

　　V系列/RamSan 解决方案整合了 NetApp V3170 开放存储控制器与 TMS RamSan-500。RamSan-500 是一个基于闪存的企业级 RAID 阵列，具有非常好的性能和可靠性。这一整合的解决方案为那些对延迟时间、操作成本、数据中心空间有很高要求的应用创建了一个理想的存储解决方案。

　　TMS 解决方案是一款成熟的、业经企业验证的产品，一直以来具备高性能和块级存储的能力。通过整合 NetApp 数据保护、数据管理和存储效率等特点，TMS RamSan-500 的原始速度和高可靠性成就了一款灵活的高性能解决方案。

　　RamSan-500 提供 1-2 TB （可用容量）闪存，并置于 RAID 保护的热插拔模块中，具有紧凑的4U 机柜。ECC 内存、负载平衡和坏块的消除增强了每个模块的可靠性。使用电池的 DDR RAM 缓存（16-64GB）加速了数据的访问，避免了少量随机数据的访问。RamSan 为 LUN提供了光纤通道协议（Fibre Channel Protocol，简称 FCP）块级界面。一个单独的 RamSan-500 随机IOPS可以持续在 100,000 次。响应时间只需 1 毫秒。
V3170/RamSan 解决方案由 NetApp 磁盘导入，并在 RamSan 内为用户数据存储空间。目前，一个单独或集群的 V3170 控制器可支持两个 RamSan-500 阵列。今后，如果进行额外测试，可根据需要支持更大的配置。

　　NetApp V 系列控制器允许你立即通过 NetApp 数据管理和存储效率能力用于存储在 RamSan 中的数据。V3170 将配置于 RamSan 的 LUN 整合到一起，就像任何第三方阵列一样。因此，你能立即创建灵活的卷（FlexVol® 卷），并在任何 NAS 或 SAN 支持协议下使用这些卷。任何 NetApp FAS 或 V系列系统都具有Snapshot™、FlexClone®、 SnapMirror®、自动精简配置、重复数据删除和其它 NetApp 技术。因此这些技术同样可以用于 RamSan。