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深入解析SSD中MLC与SLC的性能差异

MLC与SLC的区别

  目前SSD硬盘使用两种形式的NAND闪存:单级单元(SLC)和多级单元(MLC)。两者之间的差额是每单元存储的数据量,SLC每单元存储1比特而MLC每单元存储2比特。关键在于,SLC和MLC占据了相同大小的芯片面积。因此,在同样的价格下,MLC可以有两倍容量的效果。

  英特尔的SLC和MLC闪存实际上使用了相同的晶体管,不同之处在于怎样读/写这两个闪存。SLC只有两个电压符,因为它只有两个状态(0或1)。MLC却有四个状态(00,01,10 ,11),因此需要花费较长的时间来访问,因为你不想意外写入错误的数据;您已有了相同的最大、最小电压,您现在仅仅有它们两者之间更多的刻度:

SLC (left) vs. MLC (right)

  下面是一个关于SLC和MLC性能基本数据的表格:

  SLC和MLC的擦除性能是一样的,MLC闪存的读取性能需花费两倍长的时间,写入性能需花费四倍长的时间。如果您以前听说过有人抱怨MLC写入速度,这就是部分原因。不过一定要记住,我们在这里谈论的这些数字低得离谱——甚至900微秒写入MLC闪存的速度都远远超过向普通机械硬盘的写入速度。 

  SLC的最大优势不在于它的性能好而在于它的使用寿命长。要了解闪存的耐用性,我们首先需要看看存储设备的内部构造。

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