【IT168 评论】闪存先锋STEC的CEO Mark Moshayedi不认为“闪存是永恒的”。虽然他的公司现在企业级固态驱动器空间奋力争夺，而他对未来有一个不同的憧憬。El Reg最近与Moshayedi会面，他展开讨论了公司目前的战略，并解释他们是如何通过开发自己的高速缓存软件节省了数百万。他还表示STEC拥有自己的控制器技术将帮助他们打败对手。

　　当然，闪存业务并不一直是一场战斗：很久很久以前，STEC的ZeusIOPS光纤通道驱动器占据最高统治地位。但是现在，已经有几十个供应商和多种格式(接口类型)。

　　回顾那段美好时光的末尾，当STEC仍是EMC和其他客户的光纤通道SSD独家供应商，Moshayedi说：“直到2011年年底，我们的竞争对手才成为第二供应商。三星用一个在Emulex FC桥后面的SATA SSD，还有Hitachi GST获得了他们的FC驱动器验证。”

　　STEC向前发展的重点在于SAS，现在是6Gb/s，12Gb/s正在到来;另一个有兴趣的是在嵌入式市场中的PCIe接口闪存产品。这些天来，服务器可以是全闪存或有一个闪存缓存配置，对于后者他们需要闪存高速缓存软件。

　　Moshayedi表示，STEC花费了600万美元来开发其Enhanced IO缓存软件，这是可用于Linux、VMware和Windows。根据这位CEO的说法，它与一个供应商的SSD一起工作，提供了大约全SSD系统90%的性能。该存储公司的老板对STEC的缓存技术显得很满意：“NetApp表示，它是唯一通过所有测试的缓存软件。”

Mark Moshayedi

　　他对比了STEC自主研发花费的600万美元，与那些不得不买入缓存技术的竞争对手。

　　El Reg查看了自己的存档，并记录如下：

　　• Fusion-io花9,500万美元购买IO Turbine;

　　• SanDisk购买FlashSoft用了6,500万美元;

　　• NVELO被三星收购——大约5,800万美元的数字;

　　Moshayedi很高兴STEC的内部开发智慧和节省资金的战略，并暗示他们比竞争对手更聪明。他还谈到了STEC自己的闪存磨损降低(损耗均衡)和管理软件CellCare，表示它可以将来自东芝的原始24nm MLC NAND，从3,000次编程/擦除(PE)周期的耐久度提高至40,000次。

　　他告诉El Reg，他不认为STEC需要与NAND晶元代工厂更密切的关系。NAND厂商集体不赚钱，因为供大于求。他补充说：“我们在记忆体业务上已经20年，我们从来没有过可用方面的问题。”

　　他指出，在过去的几年里美光(Micron)只有两年赚到了钱，英特尔似乎已经看到闪存工厂业务的黯淡，并“出售其股权给美??光。这里没有供应的问题”。

　　当然，OCZ也经历了闪存供应问题。Moshayedi再次表示，STEC不追求加强与NAND晶圆代工运营商的关系。

　　ASIC为主导的发展

　　STEC的发展过程以ASIC(专用集成电路)控制器为基础。一旦新版本迭代开发完成，然后再改进其现有的产品——一个正在开发的新产品使用更新的ASIC功能。

　　下一代ASIC将包括LDPC(低密度奇偶校验)功能(信号处理的一种形式)、SOP和NVMe支持、12Gbit/s SAS，当然不只是支持闪存，还有MRAM。目前的计划是，它将在2014年第一季度末可用。Moshayedi补充说：“我们所有未来几代的产品将内置压缩功能。”

　　3-bit NAND闪存，TLC

　　Moshayedi证实STEC打算推出TLC NAND产品：“这需要更多一点的ECC和将拥有LDPC技术的新控制器。STEC有一个25名工程师的团队工作从事CellCare和LDPC技术工作。”

　　STEC的老板还表示，苹果已经用4.5亿美元左右收购了开发LDPC技术的公司Anobit，这意味着，STEC的LDPC技术要便宜很多...

　　STEC对TLC感兴趣，他告诉我们：“事实上我们拥有来自客户的招标书(要求建议)。”TLC适合少量写，读占很多的应用，因为其耐久度相比MLC(2-bit)，闪存较低。Moshayedi补充说：“CellCare可以得到TLC原始耐久度的10倍。在下一代ASIC中加入LDPC之后，我们会得到20倍。这使得它可以替换MLC。”

　　他预计，一款TLC的产品可以在2014年中期出货，价格在50美分/GB的区间。

　　Flash是不是永远

　　STEC正在寻找超越闪存(的介质)，它不会永远持续下去，磁阻RAM(MRAM)比闪存快，拥有较长的耐久度，采用位寻址而NAND(闪存)是块寻址，并且仍然是非易失性，提供一个存储级内存的能力。

　　当前的STEC SSD可以被看作是由DRAM、NAND、闪存控制器和备份超级电容器组成：“这种假设我们可以去掉缓存和备用电源”，让我们下一代的SSD由NAND、代替DRAM的MRAM，以及控制器组成。这位CEO说：“我们可以通过MRAM和优化写入得到很好的写聚集。”

　　Moshayedi补充说：“可能会有特定的产品设计只使用MRAM而没有闪存。我们目前拥有ZeusRAM SSD，使用DRAM和闪存并用于写日志存储和缓存一致性应用类型。我们可以想象一款ZeusMRAM产品，这是STEC MRAM活动的一个延伸。它将会很昂贵，但同时提供高容量和高性能。”

　　译者注：MRAM当前最大的问题是密度，还有单位容量的成本。

　　全闪存阵列

　　STEC会制造一款全闪存阵列吗?该闪存公司的老板说：“我们正在为我们的客户寻找解决方案，那些不太高端的客户。将有两个使用别人的软件和标准硬件的参考设计。”

　　我们可以设想一款由STEC合作伙伴构建的产品，包括一个商品级戴尔、惠普或联想的服务器，DRAM和STEC的SSD在Xyratex的外壳里面。软件方面，STEC正在寻求Nexenta(已向其投资)和Windows 2012。该参考设计将在今年第二季度准备好。