【IT168 资讯】今日，紫光集团旗下长江存储宣布其128层QLC 3D NAND闪存（型号： X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

　　在与当前全球已公开发布的3D NAND闪存芯片进行对比后，长江存储称，X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。

　　此次同时发布的还有128层TLC规格闪存芯片（型号：X2-9060），以满足不同应用场景的需求。

长江存储X2-6070 128L QLC 1.33Tb 3D NAND，来源：长江存储

　　3D NAND技术由英特尔和镁光的合资企业所研发，通过将传统NAND（2D NAND）平面架构升级为多层存储单元垂直堆叠的方式，解决了当时2D NAND技术所存在的限制——简单来说就是将平房改造成了高楼大厦。

　　与2D NAND相比，3D NAND能够实现更高的容量、更低的功耗、更高的性能和更低的成本。而提高3D NAND的层数，也成为了现在几乎所有闪存芯片厂商的努力方向——128层正是当今全球范围内第一梯队所能够达到的水平。

　　另一方面，QLC是继SLC、MLC、TLC之后3D NAND的又一新技术形态，具有大容量、高密度等特点，适合于读取密集型应用。如果说3D NAND是将平房改造为高楼大厦的话，“XX”LC技术，就是提高每单个房间的容量。QLC每存储单元可存储4 bit的数据，TCL则为3 bit，MLC为2bit，SLC为1bit。每个单元存储的bit数越高，闪存芯片容量就越高，成本更低。但相应的，也会牺牲一定的性能与使用寿命。

　　不过随着数字时代存储需求的多样化，在不同的场景下，每种技术都有其用武之地。长江存储此次发布的两款芯片中，基于QLC技术的X2-6070可提供单颗NAND闪存芯片1.33TB的容量，而基于TLC技术的X2-9060容量为512GB，可广泛应用于大容量存储场景中。

　　从长江存储公布的数据来看，此次发布的产品在性能上也达到了同类型产品的全球顶尖水平。据该公司披露,在I/O读写性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps（Gigabits/s 千兆位/秒）的数据传输速率，为当前业界最高。

　　长江存储市场与销售高级副总裁龚翊（Grace）在官方公告中表示：“作为闪存行业的新人，长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。这既是数千长存人汗水的凝聚，也是全球产业链上下游通力协作的成果。随着Xtacking 2.0时代的到来，长江存储有决心，有实力，有能力开创一个崭新的商业生态，让我们的合作伙伴可以充分发挥他们自身优势，达到互利共赢。”

　　独创的Xtacking架构

　　龚翊提到的Xtacking是长江存储研发的3D NAND架构，于2018年首次对外公布。据长江存储表示，采用Xtacking，能够使3D NAND拥有更快的I/O接口速度、更高的存储密度、更短的生产周期，同时只增加了有限的成本。

　　本次发布的128层系列3D NAND闪存芯片，采用的就是经过全新升级的Xtacking2.0技术，进一步释放3D NAND闪存潜能。长江存储指出:”由于外围电路和存储单元分别采用独立的制造工艺，CMOS电路可选用更先进的制程，同时在芯片面积没有增加的前提下Xtacking 2.0还为3D NAND带来更佳的扩展性。”

　　长江存储表示,新发布的X2-6070和X2-9060这两款产品已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证.从这两款新品身上,足以看出长江存储在3D NAND闪存领域的前瞻性与技术领先性.

　　此外在市场应用方面，龚翊指出，128层QLC 版本将率先应用于消费级SSD，并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域，以满足未来5G、AI时代多元化数据存储需求。在长江存储所展现的全情投入以及持续创新之下,我们有理由相信,未来它将在闪存领域发挥更大的价值。