【IT168 评论】根据外媒消息，西部数据公司日前宣布，已成功开发了其第五代3D NAND技术BiCS5，并借此继续保持其在业界提供先进闪存技术方面的领导地位。

　　BiCS5技术为西部数据与铠侠株式会社（KIOXIA）共同开发——后者的前身为东芝存储器株式会社，于2019年10月1日起正式更名。与上一代（BiCS4，96层堆栈）相比，BiCS5技术能够实现更高层数的堆栈——112层。这意味着BiCS5技术能够带来更高的闪存密度。

　　基于BiCS5技术的产品主要有TLC（Triple-Level Cell）和QLC（Quad-Level Cell）两种类型，以更优的成本，提供了可观的容量、性能和可靠性。这使得它成为解决互联网汽车、移动设备和人工智能相关的数据存储问题的理想选择。

　　西部数据已经开始生产512 Gb BiCS5 TLC存储芯片，预计到2020年下半年，BiCS5 SSD的商业产量将达到可观的水平，后续该公司将陆续提供更多容量选择。

　　3D NAND层数年年增加，提高密度降低成本

　　就像机械硬盘提高容量密度主要靠增加碟数一样，增加堆栈的层数，也是NAND闪存提高密度的主要手段。事实上，西部数据并不是第一个实现堆栈层数破百的厂商。在2019年，SK海力士、三星都已先后实现了128层3D NAND技术，并开始逐步量产——这可能是目前业界已知的最高层数。

　　据业内人士预测，随着技术的升级，96层3D NAND将在2020年成为英特尔、三星、东芝/西部数据、美光、SK海力士等原厂的主要发力点，很有可能实现大规模普及，并逐步取代64层3DNAND。而向更高堆叠层数的追求也将在2020年继续进行，英特尔甚至将在今年推出144层QLC NAND。

　　从2013年24层3D NAND的推出，到如今的128层，堆叠层数的增长引发了业内的各种预测。2019年5月在上海举办的GSA MEMERY＋论坛上，三星曾公开表示，预计在未来5年内，3D NAND堆叠层数将达到500层，10年内将可达到1000层。

　　闪存价格走势并不明朗

　　堆叠层数的提高，毫无疑问将实现容量的提高以及单位成本的降低，也会在很大程度上对NAND闪存的价格产生影响。长期来看，闪存降价似乎是必然的。但短期内，闪存价格走势仍然不明朗——因为产品的定价往往受到多方面因素的影响。

消费类NAND Flash综合价格指数走势图

来源：中国闪存市场网 www.chinaflashmarket.com，数据截止至2019年12月27日

　　以2019年NAND闪存市场行情走势为例，上半年和下半年呈现出完全不一样的走向。据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据，2019上半年NAND 闪存价格持续下跌，一直延续到6月底。而下半年则经历了2次涨价，如今基本已涨回到2019年初的价位，部分闪存产品价格更是创历史高点。

　　同时值得注意的是，虽然2019年下半年NAND闪存价格有所回弹，但原厂的利润依然在同比下滑。例如，三星2019年Q4初步预计营收额为59兆韩元，同比下降0.5%，营业利润为7.1兆韩元，同比下降34.26%；美光2020财年Q1营收51.4亿美元，同比下滑35%，净利润为4.91亿美元，同比下滑85%。由此可见，NAND闪存的价格可能已临近“谷底”。

　　站在整个产业角度上来看，随着5G、AI等技术的进一步发展，特别是2020年5G应用的铺开，市场对于数据存储的需求将持续拔高。原厂可能会由此提升产能，再加上96层3D NAND技术的大范围普及，我们可以大胆预测，2020年闪存价格可能会有所下跌，但总体来说，这种下跌也许不会太明显。