每天,全球生成的数据量以惊人的速度增长,企业和云服务供应商借助海量数据,制定重要决策,从数据中获得新的洞察,并提供出色的差异化服务。但是,当今的存储技术在数据存储层方面存在巨大的差距。扩展 DRAM 过于昂贵,NAND 具备扩展的容量和成本结构,但是它的性能无法支持在内存空间中运行。为了解决这个问题,我们需要一种与系统内存功能相似的存储解决方案。
英特尔® 傲腾™ 固态盘 DC P4800X 系列产品简介
英特尔® 傲腾™ 固态盘 DC P4800X 是首款结合内存和存储属性的产品。这款创新型解决方案提供了行业领先的高吞吐率、低延迟、高服务质量和超高的耐用性,新增的数据存储层专为打破数据访问瓶颈而优化。DC P4800X 可对应用进行加速,支持快速缓存和快速存储,提高每台服务器的可扩展性,并降低延迟敏感型工作负载的交易成本。此外,DC P4800X 支持数据中心部署更大、更经济的数据集,在大型内存池中获得新的洞察。
高吞吐量助力实现突破性性能
借助 DC P4800X 实现突破性应用性能。它可在低队列深度工作负载下提供快 5-8 倍的性能, 在单次访问和超低延迟下表现出极高的吞吐量。为了展示最大吞吐率,通常在队列深度为 32(SATA) 或 128(NVMe*)时测量基于 NAND 的固态盘性能。队列深度为 111 时,DC P4800X 便达到了最高 500,000 IOPS 或约 2GB/秒的性能。这项新技术能帮助企业实现全新的突破性性能表现。
低延迟:负载下的响应速度
凭借英特尔® 傲腾™ 技术所创建的新数据存储层,数据中心可以在任何工作负载下始终如一地实现出色的响应时间。借助基于 NAND 的固态盘,随机写入操作需要大量的后台媒体管理。这些任务可能会给读取操作带来显著延迟。无论应用于固态盘的写入吞吐量如何,英特尔® 傲腾™ 固态盘 DC P4800X 均可保持一致的读取响应时间。读取响应时间保持在 30 微秒以内,同时承受最高 2GB/ 秒的随机写入压力。
可预测的快速服务:服务质量
在数据激增和要求严苛的环境中,数据中心部署的解决方案必须支持可预测的快速服务。DC P4800X 适用于延迟要求苛刻的关键应用。在随机写入工作负载中,DC P4800X 的 99% 读取响应时间占高耐用性 NAND 固态盘响应时间的 1/60。4 经过优化后,DC P4800X 最大限度地缩短了数据访问的延迟,确保更快地形成决策洞察。
超高耐用性
耐用性影响企业固态盘的预期寿命和成本。DC P4800X 专为高写入环境而设计,能承受内存所需的密集型写入流量。凭借极高的耐用性,DC P4800X 的使用寿命得到延长,因而适用于在线交易处理、高性能计算、写入缓存和日志记录等写入密集型应用。
当今数据中心的用例
数据中心可探究 DC P4800X 的两个关键用例:快速存储或缓存或扩展内存。
快速存储或高速缓存通过分层优化内存和存储层级。DC P4800X 提供全新的存储层级,打破了传统 NAND 存储的瓶颈,提高了应用的运行速度和每台服务器的工作效率。
扩展内存用例支持英特尔® 傲腾™ 固态盘与 DRAM 在操作系统或应用级共享同一个内存池,以更低的成本提供更大的内存容量。较大的内存可大幅增加 “工作集” 的大小,在科学计算、医疗和自主驾驶等快速发展的领域中收集数据并获取新洞察。更经济的内存意味着数据中心可以使用英特尔® 傲腾™ 固态盘来替代一些 DRAM。
特性 | 规格 |
容量 | 375GB |
外形 | 插卡(AIC);半高半长超薄 |
接口 | PCIe* 3.0 x4,NVMe* |
延迟(典型)读/写 | 小于 10 微秒 |
服务质量(QoS):99.999% | 4kB5 随机队列深度 1,读/写:小于 60/100 微秒 |
4kB 随机队列深度 16,读/写:小于 150/200 微秒 | |
吞吐量6 | IOPS 随机 4kB 读/写队列深度 16:最高 550/500k |
IOPS 随机 4kB 70/30 混合读/写队列深度 16:最高 500k | |
耐用性 | 每日硬盘写入 30 次(JESD219 工作负载) |
12.3 PB 写入(PBW) |
如欲了解更多信息,请访问:http://www.intel.cn/content/www/cn/zh/products/memory-storage/solid-state-drives.html
·延伸阅读:《重新构想数据中心的内存和存储》