【IT168 资讯】近日，三星宣布将正式推出其首款Z-SSD产品——SZ985。Z-SSD使用Z-NAND闪存，这是三星的3D NAND闪存的高性能衍生产品，被视为与英特尔3D XPoint内存进行竞争的主要角色。SZ985是高性能、高耐久的企业级NVMe SSD。
在相当长的一段时间内，三星一直在为Z-NAND和SZ985造势，包括在多场贸易展和会议上展示产品原型。2016年时，三星曾宣布Z-NAND内存和Z-SSD驱动器将在当年实现1TB驱动，在随后的2017年实现2TB和4TB驱动。如今推出800GB和240GB的机型，时间线已远远落后于最初计划，但Z-SSD终于准备好了。三星还没有提供关于Z-SSD的具体参数信息，但他们透露，该驱动器包括1.5GB的LPDDR4 DRAM。这表明，要么Z-SSD 800GB机型拥有高达1.5TB的Over-Provisioning（预留空间）或Z-NAND内存，要么就是管理Z-NAND比多数SSD使用的NAND闪存中常见的每TB 1G DRAM要多。
三星没有提供完整的SZ985性能规范，但他们强调了几个关键的指标，将Z-SSD放在了最高性能层。SZ985可以提供多达750k的随机读取IOPS，远高于英特尔Optane SSD DC P4800X的550k IOPS。在SZ985写入上的性能要逊色得多，只有170k随机写入IOPS。英特尔P4800X上的随机写入速度比随机读取速度慢9%，而三星SZ985的随机写入速度比随机读取慢了77%。三星没有能够克服闪存的所有限制，但他们已经取得了一些值得让人注意的改进。
三星还与基于3D TLC NAND闪存的主流企业级SSD进行了一些比较。Z-NAND的存储单元读取性能比3D TLC NAND高10倍，随机读取吞吐量比PM963 NVMe SSD高70%。准确读取延迟不指定，但SZ985的写入延迟约为16微秒。
尽管没有介绍有记录的写入性能，但是SZ985仍然被设计用来处理非常高强度的工作负载。耐力评级为每日整盘写入次数（DWPD）30，可使用寿命5年，与英特尔的Optane SSD相当。三星在Z-SSS SZ985上最重要的成就很可能是由于他们的3D NAND结构，他们能够以更低的成本提供平面SLC的性能。
在去年的内存峰会上，三星还发布了第二代Z-NAND内存。SZ985是第一代产品，如此看来，第二代Z-NAND驱动距离上市可能还有很长的路要走。
