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三星闪存业务最新动向 一系列战略产品即将面世

2017-08-14 13:54    it168网站 原创  作者: 谢涛 编辑: 谢涛

  【IT168 编译】在2017闪存峰会的三星科技日上,三星公司发布了一系列新产品和新举措。这些产品包括世界上最大的SSD(128 TB)——使用其第五代V-NAND芯片,到一个新的小型SSD,再到其Z-NAND产品,它与高性能存储类内存和一个键值SSD相关。三星表示,“这些解决方案将活跃在解决目前最重要的数据密集型任务的最前线,如高性能计算、机器学习、实时分析和并行计算等。”

  三星最新的V-NAND芯片是一款1Tb的V-NAND芯片,预计将于明年上市。明年1Tb的V-NAND闪存芯片的问世将使单个V-NAND闪存芯片的内存达到2TB,这将是内存产业过去十年中最重要的进步之一。该公司使用的32模组1 Tb QLC展示了一个2.5英寸的“128 TB固态硬盘”。

  三星也在对该行业的第一个16 TB NGSFF SSD进行采样,这是为了极大地提高目前1U机架服务器的存储容量和IOPS(每秒输入/输出操作)。三星NGSFF固态硬盘的尺寸为30.5mmx 110mm x 4.38mm,提供了超大规模的数据中心服务器,大大改善了空间利用率和可伸缩性选项。三星将在今年第四季度开始大规模生产这些固态硬盘。

  在1U服务器中利用新的NGSFF驱动代替M.2可以增加系统四倍的存储容量。为了突出优点,三星演示了一种参考服务器系统,该系统在1U机架中提供了576TB容量,使用NGSFF SSD则达到3616 TB。1U的参考系统可以处理大约1000万随机读取IOPS,这将使一台配备2.5英寸SSD的1U服务器的IOPS性能达到三倍。仅使用576TB系统中的两个就可以实现1 PB的容量。

  三星在2016年推出了其Z-SSD技术。在2017年,该公司发布了其首款产品,即SZ98 Z-SSD。Z-SSD的目标是数据中心和企业系统,这些系统处理的是非常大的数据密集型任务,比如实时“大数据”分析和高性能服务器缓存。三星表示,它正在与几位客户合作,在即将推出的应用中集成Z-SSD。该产品将有15微秒的读取延迟,这大约是NVMe SSD读取延迟的七分之一。三星表示,在应用程序层面上,三星的Z-SSD的使用可以将系统的响应时间减少12倍,与使用NVMe ssd相比。

  三星引入了一种名为“键值SSD”的存储架构。该名称指的是在存储中组织数据的一种方式,以便在对象存储系统中进行更快速的访问。三星表示,目前,SSD将各种不同大小的对象数据转换成特定大小的数据片段,称为“块”。这些块的使用需要包含LBA(逻辑块寻址)和PBA(物理块寻址)步骤的实现过程。

  不过,三星的新键值SSD技术允许SSD在无需将其转换为块的情况下处理数据。相反,三星的键值SSD技术是为每个“值”或对象数据分配一个“关键”或特定位置,而不管它的大小。该密钥支持对数据位置进行直接寻址,从而使存储可以进行伸缩。三星的键值技术使SSD能够在性能和容量上扩大(垂直)和扩展(水平)。因此,当数据被读取或写入时,一个键值SSD可以减少冗余的步骤,这将带来更快的数据输入和输出,同时增加TCO并显著延长SSD的寿命。

  三星公布了他们的V-NAND发展蓝图,表明他们至少会发布5代V-NAND产品。这些一代又一代的高容量产品将利用三种技术发展。这些包括持续的垂直堆叠(更多的3D层),横向收缩(更小的特征)和储存格的外围(在支持的CMOS逻辑之上建立储存格层)。

  此外,三星还指出,该公司计划在2018年之前将STT MRAM的产品样本发货。三星在新的3D闪存制造设备上进行了大量投资,并继续成为新闪存产品和出货量的领导者。

标签: 三星 , 闪存
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