【IT168 资讯】近日，在美国圣克拉拉举办的2016年闪存峰会上，三星展示了其第四代64层 V-NAND(立体3D堆叠闪存)，同时还有基于最新的V-NNAD的高性能高容量的SSD存储阵容，包括性能方面有突破性进展的Z-SSD。旨在满足不断增长的大数据网络、云计算和实时分析的需求。

　　第四代64层 V-NAND

　　三星此次推出的第四代V-NAND为64层，提升了NAND 的密度、性能及存储容量，实现了单颗Die的容量高达512Gb，IO速度可达800Mbps。其实，三星最早是在2013年开始第一代的24层 V-NAND，随后陆续推出了32层和48层，直到今天再次率先推出64层，进一步巩固了三星在3D NAND方面的结构设计及生产技术的领先地位。三星计划将在今年第四季度提供这款最新的第四代的64层 V-NAND产品。

　　2.5inch 32TB SAS 固态硬盘

　　三星最新推出的32TB SAS固态硬盘是针对企业级存储用户的，也是有史以来最大容量的闪存存储单品，它是基于三星的512Gb V-NAND来做的，将16颗512Gb的V-NNAD Dies封装在一起做成1TB 单颗Flash封装片，这款32TB的SAS SSD就包含了32颗1TB的Flash封装片。

　　通过采用最新的第四代64层 V-NNAD 技术，这款32TB的SAS SSD与同类型需要使用到两个支架的的HDD相比节省了40倍的空间。不过这款32TB SAS SSD在2017年才会批量量产，而且形态只有2.5inch。三星还预计将会借助持续发展的V-NAND技术在2020年提供超过100TB的固态硬盘。

　　1TB BGA 封装超轻薄SSD单品

　　三星的1TB BGA封装SSD内部结构非常紧凑，是将最新的64层 V-NAND闪存芯片、LPDDR4和三星自家的控制器封装在一个BGA封装片中。

　　这款1TB BGA SSD也是极具性能优势的，顺序读写分别高达1500MB/s和900MB/s，与上一代BGA SSD相比尺寸缩小了50%，重量仅约1g，是下一代超紧凑的笔记本电脑和平板理想选择。

　　这款BGA封装的固态硬盘预计将在明年推出，而且会搭载三星的高密度封装技术(FO-PLP)。

　　超高性能Z-SSD

　　在以上新品之外，三星还开发了高性能和超低延时的SSD解决方案——Z-SSD，三星并未透露其具体的性能参数，只提到其相较于三星的PM963 NVMe SSD延迟缩短了四倍，顺序读写是PM963的1.6倍。预计这款超级Z-SSD将在明年发布。