【IT168 资讯】闪存在智能手机、SSD等应用中的广泛使用正在驱动全球闪存市场的持续增长。全新Fab 2工厂将支持公司从2D NAND的生产能力转向3D闪存生产，从而实现更高密度和更好器件性能的解决方案。

　　近日，西部数据公司宣布成功开发出下一代3D NAND闪存技术BiCS3，具有64层垂直存储功能。据了解，BiCS3由西部数据公司与制造商东芝公司联合开发，初步的闪存容量为256GB，且在单芯片上的容量最高可达0.5TB。

　　目前，西部数据已经在其位于日本四日市的合资企业开始试产，预计今年晚些时候完成初产。公司计划在2017年上半年开始商业化量产。双方共同致力于通过合作提高客户所获得的产品价值，并持续发挥市场领导者所具备的创新性。

　　据悉，这款新型存储器含有48层BiCS FLASH?，并采用领先的64层堆叠工艺，使每个单元芯片的容量比48层堆叠工艺增加40%，在降低每比特成本的同时提高每个硅晶圆的存储容量的可加工性。64层 BiCS FLASH?满足严格的性能规范，将用于包括企业级SSD和消费者级SSD、智能手机、台式电脑和存储卡等存储相关应用。

　　目前，西部数据希望在2016年第四季度能够向零售市场批量交付BiCS3，本季度开始OEM取样检验。同时，公司将继续为零售和OEM客户交付上一代3D NAND技术BiCS2产品。

　　四日市工厂的全集成生产系统采用大数据处理方法，每天对16亿个数据点进行分析，因此进一步提高了生产效率和3D闪存的质量。

　　西部数据存储技术执行副总裁Siva Sivaram先生表示：“在我们64位架构基础上发布下一代3D NAND技术，将增强我们在NAND闪存技术领域的领导地位。BiCS3采用了3位元型技术，并在高深宽比半导体处理上实现进展，能够以更优成本提供更高容量、出色性能，并具有更高的可靠性。这项技术与BiCS2一道，大幅扩宽了我们的3D NAND产品组合，提升了我们满足零售、移动和数据中心整体客户应用需求的能力。”

　　东芝公司总裁兼CEO Satoshi Tsunakawa表示，先进的技术加重了其应对市场持续需求方面的承诺。他们正在提高生产效率和世界级生产设备的质量。在此基础上，计划到2018年底根据市场情况投入资金8600亿日元。承诺与西部数据公司的合资企业一定能在四日市生产出新一代具备成本竞争力的存储器。”