【IT168 资讯】如今，平面结构的NAND闪存已接近扩展极限，为保持摩尔定律与闪存存储解决方案的一致性，3D NAND技术横空出世。作为被视为闪存产业柳暗花明的关键技术,3D NAND续写了摩尔定律,从2D到3D存储容量得到惊人的提升，从而能够令闪存存储得到更广泛的应用。尽管3D NAND尚有诸多的挑战，但3D NAND大潮已势不可挡。在三星、东芝、闪迪等友商纷纷开始量产3D NAND的背景下，美光就显得“反射弧”有点长了。不过经过一段时间的延迟，美光的3D NAND产品终于要起飞了。

　　根据国外媒体报道，美光公司日前公布了3D NAND闪存的路线图，在其2016年下半年出货的SSD中，大部份都将是基于3D NAND技术的产品。

　　美光的3D NAND采用了浮闸技术，以垂直方式堆栈32层的储存单元，实现256Gb的多阶储存单元(multilevel cell，MLC)与384Gb的3阶储存单元(triple-level cell，TLC)，号称是全球密度最高的闪存，高密度的特性让它的容量可达到其他NAND内存的3倍，标榜只要AA电池大小的SSD就能具备3.5TB的储存容量，2.5寸的SSD则能有10TB的储存容量。

　　▲3D NAND就像盖高楼，以垂直堆栈方式增加内存的容量，提高存储单位的密度

　　实际上，美光与英特尔合资的IMFT公司早在去年3月就共同发表了3D NAND闪存，当时亦已开始送样，该闪存的优点除了高密度之外，还包括快速的读写效能、更便宜的每GB成本，以及可用来省电的新睡眠模式等。美光与英特尔是共同研发，不过市场是各自独立的。拿美光来说，他们的3D NAND闪存中48GB容量(384Gb)的TLC闪存已经上市，旗下的晶圆厂今年秋季会大规模出货。

　　▲美光的3D NAND路线图：8TB容量SSD将至

　　具体到不同市场上，根据美光的路线图，3D NAND将率先于今年6月出现在其消费级的固态硬盘产品上，继之推出数据中心专用的SSD，直到相关成本低于平面NAND之后即会扩展至各种嵌入式内存市场。Q4季度，美光会推出容量8TB+的SSD，用于满足超大规模云服务市场需求。到了2017年Q1季度，美光还会继续推出性能最强大的产品以满足企业级市场的需求。

　　尽管现阶段3D NAND的每GB成本仍高于平面NAND，但随着3D NAND单一晶圆可装载的存储量愈来愈大，美光预计两者的成本差距在明年将变得微乎其微，之后3D NAND即会取得成本优势。