【IT168 资讯】过去的几年来，三星电子在存储技术上的领先可谓无可匹敌，其高性价比的SSD也广受市场好评。两年前，三星便推出了第一款TLC NAND产品840，性能一般但胜在平价。去年，三星宣布正式批量投产全球先进个采用3D垂直设计的NAND闪存“V-NAND”，采用电荷撷取闪存(CTF)架构，将电荷暂时储存在闪存非导电层(Non-conductive Layer)的氮化硅通道中，改善浮点闸极方案中相邻单元格互相干扰的弊病。另外，同年面世的840 Evo也在TLC的基础上加入了速度较快的SLC NAND。

　　▲三星1TB SSD采用第二代3D V-NAND

　　3D V-NAND是一种利用垂直堆栈技术的闪存，包括三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)和IBM等IT巨头均在开发3D NAND。3D V-NAND无须缩小内存单元(memory cell)，而是利用3D堆栈技术封装更多的单元，此技术有诸多好处，包括在一个较小的实体空间里提升容积率(Capacity/Volume ratio)，如此将可降低干扰，编程时间也会缩短，再加上各单元互相链接长度缩减，意味着电气性能大为提升，总耗电量跟着减少。

　　现在，三星又推出了业界首个结合了TLC NAND和3D V-NAND特性的产品，新闪存将基于第二代3D堆叠工艺、CTF电荷撷取闪存技术，同样垂直堆了多达32层，每颗芯片容量为128Gb(16GB)。三星并且表示，相应的固态硬盘也会很快问世，想必是要在市场上造成热烈反响。

　　意识到NAND的价值后，三星非常想吃了这块蛋糕，这里说的是“3位多级单元(MLC)”。此前，该术语用的并不多，直到三星展示了植入MLC特性的TLC NAND的性能和寿命之后，这些术语便经常营销中误用。

　　撇开市场表现，我们仍有理由认为垂直的TLC比传统平面要有优势。三星的第一款V-NAND固态硬盘850 Pro比传统固态盘有更高的性能和可靠性，如果三星能把这些特性拓展到TLC硬盘，那将诞生市场上最具吸引力的产品。

▲3D V-NAND芯片

　　三星的PR在不经意间透露在市场宣传中利用工艺节点问题误导消费者。三星曾宣称3D NAND两倍于10纳米级NAND的晶圆量，而10纳米级的意思是其工艺制程在10到20纳米之间。独立第三方评测机构Anandtech表示，三星的V-NDND与16纳米的美光NAND相比仅有微弱的优势。

　　如果V-NAND真有两倍于原有10纳米级NAND的晶圆量，即便是他的特性尺寸都不如美光的好又或者说它的晶圆收益率也糟透了。就像你能猜到的那样，它还会采用替代的方法让产量看上去好点。

　　从市场的角度来分析，三星的3D NAND已经在市场上证明了自己潜在价值，公司的TLC也做的非常好，即便是840Evo产品家族有点问题，我们还是有理由相信三星有能力结合两个产品的特点推出更好的产品，甚至可能使SSD的价格降至突破性的每GB 50美分。