【IT168 资讯】全球第二大NAND闪存厂商东芝和SanDisk闪迪在上周同时宣布，公司已经完成了迄今为止全球非常先进的15nm NAND 闪存工艺的研发，并将尽快投入量产。

　　作为业界广泛使用的闪存介质，NAND 闪存芯片的每一次进步都有可能影响整个行业。

　　据悉，东芝计划首批量产的15nm工艺闪存颗粒是2bpc MLC 128Gb(16GB)，同时公司还在研究采用15nm 生产 2bpc 和 3bpc 闪存颗粒，其配套的主控芯片也在开发之中，可用于智能手机、平板机、笔记本。

　　东芝表示，东芝15nm NAND 闪存模块将会于四月底在日本三重县四日市的 Fab 5 厂房开始进行量产。Fab 5是东芝非常先进的闪存晶圆厂，目前拥有业内领先的第二代19nm工艺，但很快这项工艺就会被新的15nm所取代。Fab 5工厂的二期工程也正在建设中，将来也会用于生产15nm闪存。

　　东芝表示，15nm工艺除了缩小芯片尺寸之外，还改进了外围电路技术，能够获得和第二代19nm工艺相同的写入速度。同时借助新的高速接口，数据传输率相比上一代 19nm 的模块提高了30%，达到533Mbps。

　　闪迪方面将这项15纳米技术命名为“1Z”，延续了自指代20纳米以下工艺的“1X”以及15纳米到20纳米之间的“1Y”。15纳米技术的成功，意味着该公司能够在同一块硅晶片上切割出更多闪存芯片，而产品的成本也将因此而降低。

　　东芝与闪迪已经开始生产19纳米闪存(1X)芯片，并将此作为上代24纳米芯片产品的替代方案。英特尔与美光则正在潜心打造20纳米设备。美光的16纳米工艺正处于开发当中，并于去年开始小规模提供样片。而全球最大NAND闪存厂商——三星同样也在以19纳米工艺制造新产品，而且开发19纳米以下工艺也只是时间问题。

　　闪迪指出，该公司将从今年下半年开始提高2bit每单元(即MLC)与3bit每单元(即TLC)闪存芯片的生产规模。公司存储技术高级副总裁Siva Sivaram博士解释称，这项技术将创造出“全球体积最小且最具成本效益的128Gb芯片。”

　　闪迪方面还表示，15纳米工艺的推广“不会影响到任何存储性能或者可靠性因素”;这项技术将被广泛应用在该公司的各条产品线当中，从便携式SD卡到企业SSD尽皆包含在内。

　　毫无疑问，闪迪和东芝打造了NAND闪存研发历史上的新一个里程碑，而以Violin Memory为代表的各大闪迪和东芝的客户也将利用这些“瘦身”后的闪存组件帮助自家存储设备实现更为出色的功能表现。