【IT168 资讯】新一轮的内存制程工艺竞赛可谓愈演愈烈，美光(Micron)公司亦加入其中。继SanDisk发布19nm固态硬盘(SSD)后，美光在日前宣布将样产全球最小的128Gb MLC NAND闪存芯片，该芯片采用最新的16nm工艺，领先于现有的20nm工艺。据透露，作为全球四大NAND家族之一的美光还将于2014年量产SSD，与SanDisk在消费性电子及数据中心市场一争高下。 

▲美光16nm工艺的128Gb MLC NAND闪存

　　据悉，美光此次试产的128Gb MLC NAND闪存芯片将主要应用于消费级SSD、闪存盘、存储卡、平板电脑、智能手机、超薄移动设备以及云存储数据中心。得益于制程上的优势，新的闪存芯片体积更小，因而在同样面积的晶圆上可以生产出更多的芯片成品，一块16nm工艺晶圆的总容量可达6TB。

　　由于单颗晶圆可以切割出更多的闪存芯片，同样容量的16nm工艺闪存在成本上将比20nm级别的产品更低，因此新工艺对于降低SSD成本会起到促进作用。未来在同样价格的情况下，用户可以买到容量更大的SSD产品。

▲16nm工艺晶圆

　　美光NAND解决方案部副总裁Glen Hawk表示，客户不断提出在更小的尺寸中配备更高内存容量的要求，美光16nm节点不仅是目前领先的闪存工艺制程，而且对于任何出样的半导体设备来说都是非常先进的，堪称是里程碑技术。它将进一步巩固美光在存储技术开发和提供非常先进的半导体解决方案方面的领先地位。

　　Hawk还指出，公司在2011年通过20nm制程量产NAND Flash内存后，即逐步更改NAND Flash架构，如高介电质金属栅(High-K Metal Gate)技术，藉此加快推进至更先进的NAND Flash纳米制程;实际上，美光已比原先订定的时间更快实现16nm制程，自宣布20nm NAND 闪存至今，仅有两年的时间。

　　面对巨大的降价压力，NAND Flash内存大厂纷纷加紧投入，布局更先进的纳米制程，积极开发垂直整合方案。美光也因此在近年重新调整市场定位，直接向终端消费者销售其生产的SSD。不过Hawk也强调，公司将坚持强化本身制造和技术实力的营运策略。

　　目前美光已经开始试产16nm工艺128Gb MLC NAND闪存，主要提供给合作伙伴进行测试，预计将从今年第四季度开始量产。同时美光已经着手开发基于16nm闪存的SSD产品，研发进度顺利的话会在2014年出货。另外考虑到英特尔和美光在NAND上的紧密合作关系，英特尔的16nm工艺SSD产品应该也在研发当中，进度上与美光大致相同。