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IDF2012:SSD耐久性满足云计算需求

  【IT168 专题报道】由英特尔主办的全球IT界高水平的技术论坛活动——2012英特尔信息技术峰会(Intel Developer Forum, IDF),将于4月11至12日在北京国家会议中心举行。本届IDF以“未来在我‘芯’”为主题,前瞻IT产业的发展与计算体验的变革,共迎个性化计算时代的到来。

NAND的工作及失效原理

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NAND的工作及失效原理

  大数据的大规模增长正逐渐推动数据中心架构的改变,而固态硬盘(SSD)在该变更中发挥着非常重要的作用。

NAND的工作及失效原理

  在当前的数据中心中,SSD的用量究竟到达了多少呢?以目前的统计数字来看,SSD的份额不到4%。不过,这只是开始!

NAND的工作及失效原理

  在未来的数据中心架构中,SSD能突破存储的瓶颈。云的部署将采用灵活的、配有高速SSD的可扩展性架构。

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  SSD是具有耐久性的,其被定义为,在满足特定数据保持能力的前提下,SSD所能经受的数据反复写入的能力。因为NAND的耐久性是有限的,所以SSD的耐久性也是有限的。

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  写入放大银子(WAF)=NAND的数据写入量除以主机写入的数据量。而写入放大程序很大程度上取决于用户的工作负载和固件的算法。过量的荣誉可以帮助用户以牺牲一部分容量来换取写入放大的减少。

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  沟道氧化层的退化是NAND寿命有限的主要原因。

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  就像所有的半导体产品一样,NAND也可能会有不可恢复的缺陷。如上图所示,两条外围金属线之间就有可能形成短路。

  高耐久性技术(HET)能使写入的分布更加紧凑,这样就有额外的裕量来获得更多的循环次数和数据保持力,需要在性能和耐久力之间保持平衡。而更紧凑的写入分布能获得更高的耐久力。

  数据中心对SSD耐久力的要求日渐超出现有普通的MLC能力,而NAND的多种内在特性限制了耐久力和数据保持力。针对此现象,高耐久力技术(HET)采用了多种技术来延长MLC SSD的可用寿命。而Intel的高耐久力技术满足了数据中心对SSD成本和耐久性的要求。

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