【IT168评测中心】一年前,我们IT168评测中心测试了Intel的X25-M SSD硬盘,其直可以用飞快来形容,除了其老大哥X25-E(Extreme版本)之外,就数它最快了,根据我们的测试,无论是用在笔记本,还是PC,还是用在服务器上面,都可以很明显地提升性能,改善用户体验。
Intel X25-M的性能让人印象深刻,虽然后来又测试过PCI-E插卡式的SSD,不过过于高端,只可仰望而不可及,不如X25-M这样的仿佛触手可及。
时隔一年,Intel又推出了第二代X25-M SSD硬盘,是现在的X25-M的继任者,它基于新的34nm技术,上一代则是50nm。34nm技术能带来什么好处呢?更大的容量还是更好的性能?兼而有之,新的制程让Intel在芯片大小不变的前提下提升闪存容量近一倍,此外,新的34nm芯片在读写延迟方面得到了改善,并且搭载了新的控制器,会有性能提升。
此外,新工艺让闪存芯片体积缩小将可以降低产品售价,同时,新的第二代34nm SSD将会提供TRIM固态硬盘优化指令的支持(不过需要操作系统——Windows 7的支持),这一点更像是一个商业性的策略,因为这是通过硬盘固件更新来提供支持的。
第一代产品和第二代产品有什么区别呢?谜底揭开:它们图片的宽度不同。
好吧,只是在这个文章里面是这样而已(第一代的图片窄一些,第二代的宽一些),具体的区别,可以看图注:)
第一代Intel X25-M 80GB:我们拿到的是一块Engineering Sample,也就是工程样品
第一代Intel X25-M 80GB,型号SSDSA2SH080G1GN,中国制造
第二代X25-M 160GB,型号SSDSA2M160G2GC,如果从外观你分不出是第几代的话,你可以从型号看:如SSDSA2SH080G1GN当中的080和SSDSA2M160G2GC当中的160就是容量,其后面的两位G1和G2就代表着代数:G1=Generation 1,G2=Generation 2
第一代X25-M 80GB SSD内部由许多集成电路组成,从这点上看,和U盘原理上倒也无大分别
第一代X25-M,同样是10个NAND颗粒,这一面是正面,这一面还有控制芯片和缓存,控制芯片也是自家的,缓存是SAMSUNG的
第二代X25-M 160GB,反面是没有颗粒的,相对来说,整个SSD的厚度就要更小,可以适应多种笔记本2.5"槽的厚度,再换另一个说法,在这里加上NAND芯片就可以多出一个320GB的第二代X25-M SSD型号(应该会在2010年上半年出现)
第一代X25-M 80GB,采用的SAMSUNG K4S281632I-UC60是一块16MB容量、60ns(也就是对应166MHz,CL=3)的SDRAM芯片,位宽可以为4、8、16位,因此带宽最高为333MB/s,超出了SATA的300MB/s的规格
第二代X25-M 160GB,采用的是MT(Micron Technology,美光科技)的48LC16M16A2-75,这是一块32MB容量、75ns(也就是133MHz,CL=3)的SDRAM芯片,位宽同样可以为4、8、16位,因此最高带宽为266MB/s,比上一代要低一点