【IT168 专稿】前面的文章“揭秘Intel 34nm第二代SSD产品性能指标”我们已经抢先为大家揭秘Intel 34nm第二代SSD产品的性能参数，相信感兴趣的网友会希望知道更加详细的第二代SSD的产品细节。我们第一时间从国外网站上编译了有关Intel 34nm第二代SSD产品的性能评测，为大家揭秘，Intel究竟如何将SSD产品做到更快更便宜。
两代Intel SSD产品的外观展示对比
第二代X25-M采用银色的外壳，据Intel的说法，银色外壳比老版本采用的黑色外壳造价更低：
X25-M G2 (上) vs X25-M G1 (下)
16GB闪存颗粒，为大容量SSD做好准备
了解Intel第二代SSD产品的外观，下面我们将打开固态硬盘外壳，Intel对其动过哪些手术也就一目了然了：
Intel新款X25-M G2反面还留有很多的空白焊位，由于第二代X25-M采用了16GB闪存颗粒，可以预期该产品能够很快的获得容量上的扩展
上面新旧两款X25-M都是160GB的型号，Intel在第二代X25-M采用16GB的闪存颗粒，而第一代用的是8GB的颗粒，这样PCB上能够容纳的闪存容量将加倍。所以在34nm制程成熟之后，在充足的产能条件下Intel将可以填满PCB背面空焊位，320GB的大容量SSD产品将指日可待，不过320GB产品应该还不会太快上市。
新旧两代SSD不同的散热处理
PCB上磁盘控制器所在的那一面，新旧两个型号的差别并不大，较为显眼的区别是老版X25-M PCB上的芯片焊脚上面覆盖有一层黑色物体，而新版X25-M则没有。
老版X25-M 芯片焊脚上覆盖着的黑色物体似乎在微软的XBOX 360上也曾经出现过，我们不太清楚其具体功能，有可能是为了散热。
新版X25-M G2
新旧两款SSD产品不同的控制器编码
如下图：新旧两版控制器的外观对比，我们看到基本采用了一样的封装：
新版控制器
两个版本的控制器编码不一样，老版本为Intel PC29AS21AA0，而新版本则为Intel PC29AS21BA0。
三星Bye-bye， 新产品DRAM颗粒Micron上阵
同时，英特尔也更换了X25-M板载DRAM的生产商，以前的160GB驱动器使用的三星166MHZ 16MB CAS3 SDRAM颗粒。Intel还更换了DRAM颗粒，老版160GB X25-M采用的是三星16MB 166MHz的SDRAM（CAS3）：
新版的SSD产品160GB X25M-X G2对三星说拜拜，采用的DRAM颗粒为Micron 133MHz SDRAM（CSA3）：
总体来说，DRAM容量上升而频率却降低了，这里我们也不知道Intel的葫芦里到底在卖什么药。以下是目前SSD控制器的供货关系图：
基本上Intel并没有将自己的控制器授权给其他SSD产品的开发商（唯一的例外是金士顿）。所以市场上大部分SSD产品都只能选择Indilinx或Samsung的控制器。
SSD的低价传说不是梦
下面表格列出各家产品目前的价格对照：
注意上面表格中X25-M G2的价格为每千个的定价，Intel暂时还没有给出零售价格。预计零售价格将高于千个售价，但最终将类似于第一款产品的情况，价格将下调至千个售价以下。因此千个售价对我们来说还是较有参考意义的。
硬盘的四项全能测试之连续读性能
对于第二代X25-M的性能表现，我们最为重视的Intel SSD在“四项全能”测试中的表现，我们所谓的SSD四项全能，即随机读取、随机写入、连续读取以及连续写入四项指标，是评价一款固态硬盘性能的关键指标。这四项读写的速率高低将直接反映出一款SSD的性能高低，高性能的SSD必须在这四个项目的测试中都取得较为平均的优异成绩，并最好有突出的个别单项表现。
随机读写速率，特别是读取小文件的速率通常是传统硬盘的软肋，而这些小文件操作在我们日常的应用中很常见，从文件更新到搜索访问到程序加载等等都属于小文件随机读写范畴。这些文件虽然不是说七零八散地分布在磁盘上，但其不连续性足以让传统硬盘不堪重负。而这一点也是SSD优于传统硬盘的优势长项。
连续性读写速率通常是反映大文件拷贝速度的指标，比如拷贝蓝光镜像的速度快慢就取决于连续性读写速率的高低。在测试中我们分别对四款参测SSD进行了IOMeter测试，此外还有满载工作环境下的读写速率测试。
连续读性能测试比赛结果
从上图连续读性能测试结果来看，基本上所有参测SSD的连续读取性能都能达到标称的最高速率，从测试数据来看，测试平台的SATA速度瓶颈限制了固态硬盘的速度发挥（大约为300MB/S）。在6Gbps SATA协议到来之前我们很难再提升磁盘的连续读取速率，受限于木桶效应，新一代的X25-M对连续文件的读写性能只能跟上代产品持平。
Intel SSD的软肋：连续写测试
连续写入性能向来是Intel SSD的软肋，从测试结果可以看到新X25-M在这方面比老一代产品提高了7%，但这个成绩依然大幅落后于其他同级MLC产品。
不过提升连续文件的读取速率对Intel来说并非难题，因为更高级别的SLC X25-E已经拿到了这个测试项目的桂冠。在我们看来70MB/S的写速度的测试结果也算是可以接受的测试结果，但Intel确实需要好好改进下这方面的表现，因为竞争对手的产品在这方面表现相当强劲。
另外一方面，虽然说随机文件的读写性能才是最为重要的指标，但Intel不应该在连续读写方面继续落后下去，需要好好努力才能对得其SSD性能王的称号。
Intel SSD的长项：随机读
在随机文件读取领域Intel才真正显露出实力，特别是对付分散的小文件，在这个项目里竞争对手的产品可谓望尘莫及。从测试数据来看，第二代的X25-M在这方面又有所进步，随机读取速度比上代产品提升了10%，这个提升甚至让第二代的X25-M超越了上代产品中的较高级别型号——X25-E。
第二代X25-M在这个项目中的强劲性能让其他竞争对手望尘莫及，表现最好的MLC产品也跟新X25-M有50%的性能差距。值得一提的是西数VelociRaptor的表现相当难看，其数据图表几乎低至难以看清的地步——0.68MB/S！
该图显示的数据跟上一个图表其实来自于同一个测试项目，只不过这里显示的是平均延迟而非传输速率。
Intel SSD的第二长项：随机写
跟上一个测试项目一样，随机写入性能同样是X25-M的强势项目，而第二代X25-M的表现也依旧强劲，超过上代最高型号X25-E达40%。而其他竞争对手根本无法与之抗衡。
三星的RBB控制器似乎很怕遇到最糟糕状态下的随机写入操作，所以在该项测试中其表现甚至不如西部数据的VelociRaptor，早前的SSD测试也得出同样结论，这也解释了为何采用三星技术的SSD产品的Apple笔记本磁盘性能表现不佳的问题。
测试最终结论：
从我们此次的测试结果来看，第二代X25-M的确兑现了Intel的承诺，在我们的测试中X25-M G2超越上代产品的幅度为0～40%之间，我预计在实际英勇环境中，用户能够看到大约10%的性能提升。
