【IT168 专稿】随机写入的高延迟问题一直困扰着我们，也因此我们更希望用SSD来解决传统磁盘的随机写入效率问题。但在前面的测试（对比评测常见MLC SSD产品的写入性能，以及实际应用环境中MLC SSD产品的常见问题）中，我们发现市场上大多数MLC SSD产品仍然不能很好的解决这一问题。
在我们前面的测试中，我们发现，Intel的MLC SSD产品在各项测试中均有领先的性能表现。与此同时，其他市场上的MLC SSD产品的性能表现相差SLC SSD产品实在相差太远，甚至对比一般的传统磁盘也并未有突出的性能表现。
实际上，市场上大多数的MLC SSD产品采用了相同厂商供应的驱动器，因此，这些MLC SSD的性能问题实际上是一个普遍问题。这些厂商的MLC SSD随机写入性能相比SLC SSD产品的性能差距实在太远，而Intel在相同条件下的测试数据则有良好的性能表现。对此，我们希望能深入探究其性能表现不佳的原因。
缓存对随机写入性能的影响
Intel's controller (left) + DRAM (right)
我们首先想到的是，这是因为MLC驱动器没有任何DRAM缓冲区，如果你稍加留意，你会发现英特尔的MLC驱动器是有DRAM缓冲区的。关于这点我询问过英特尔，并且关掉了英特尔驱动器内部的DRAM，他们称这些DRAM不是用于临时存储用户数据的，因为这会有很大的数据丢失风险，而这些DRAM缓存的真正用途是帮助英特尔的SATA或Flash控制器更快的定位数据该写向哪里（我估计是执行均衡损耗算法/可靠性算法）。
尽管都有外部的DRAM缓存存在，但英特尔和JMicron控制器都还是依靠内部的缓冲器缓存去访问固态硬盘。
