【IT168 资讯】随着中国知名款自主知识产权的固态硬盘的亮相，其生产厂商忆正存储技术有限公司浮出水面。面对这样一家名不见经传的企业，其生产的固态硬盘到底有什么独特之处？他们申请的十多项世界级专利技术，对其产品的性能有何种提升呢？
固态硬盘（SSD，Solid State Drive）介绍
固态硬盘的存储介质不是传统机械硬盘的磁碟，而是非易失的闪存芯片（Flash Memory）。这些闪存芯片加上专用的控制器，成为标准的存储外设，简单的说就是用固态电子存储芯片阵列加上主控芯片构成的。固态硬盘的接口规范和定义、功能及使用方法上与普通硬盘的完全相同，.在产品外形和尺寸上也完全与普通硬盘一致，包括3.5", 2.5", 1.8"多种类型。由于固态硬盘没有机械硬盘的读写磁头和旋转磁碟，因而抗震性较好，数据存储安全，且具有读写速度快、耗电量低、重量轻、无噪音等众多优点。业界普遍认为，假以时日，固态硬盘将取代机械硬盘。
固态硬盘中，SSD主控是一个全新的技术领域，目前全球很多厂家已经在逐渐推出其自己的SSD主控，不同SSD有着很大的技术性能差别，普通的SSD就是相当于U盘或DOM（Disk On Module）主控加FLASH组成。而要作为一个系统存储设备来使用，它必须要有很快的读写速度和稳定性。考核存储设备性能的主要数据之一就是随机读写速度，忆正IOPS@512Bytes Write 大于 800 ， 而普通硬盘在100左右，IOPS@512Bytes read 大于10000 ，而普通硬盘仅为100左右。
普通固态硬盘则和高速固态硬盘同样是无法相比的，高速SSD它必须要大于HDD的速度，且要有着严格的纠错能力（ECC）以达到更佳的数据完整性（Data Integrity），以及延长SSD寿命的磨损平衡（Wear Leveling）等技术，高速SSD需要在各项性能指标上全面超越HDD。
忆正的高速SSD之路
忆正在2006年初就开始了SSD开发之征途，并且一开始就把SSD定位为传统机械式硬盘（HDD）的取代产品，所以起步就提出了技术目标要求，连续读写速度一定要大于HDD。忆正自主研发的专利多维NAND闪存阵列控制技术，能使固态硬盘同时获得高带宽与高IO处理能力，并借助16Mbytes DRAM 缓存，及针对NAND 闪存优化的缓存策略，提高了忆正高速固态硬盘的写操作性能与效率，真正实现性能、可靠度、寿命等各方面对硬盘的全面超越。
在解决速度问题之后，SSD可靠性和寿命也是其中的关键问题，可靠性主要表现在不能有数据上的丢失，数据的错误纠正和FLASH的坏块管理是稳定性的关键，而忆正SSD有了严格的纠错和完善的坏块管理技术。另外，FLASH有写入次数的问题，如何保证使用寿命，这需要均衡的写入管理保证其寿命，忆正的均衡管理技术使得16G容量的SSD在每日写入500G数据的情况下，寿命可大于20年。并且，其产品专利的 TinyUPS 板载备份电源子系统确保了忆正高速固态硬盘异常掉电时缓冲中的所有数据完好无损。忆正还研发出专利的动态条带调整技术，使其产品针对不同的应用模型都能获得非常好的的效果。另外，忆正高速固态硬盘使用的是动态与静态相结合的损耗平衡算法，由此可使产品获得非常优异的损耗平衡效果。
在纠错、电源管理、坏块管理方面，忆正凭借自身的技术实力，保证了忆正固态硬盘纠错能力强，数据存储安全、耗电量低、使用寿命长的特点。
由此可见，忆正高速SSD不但能解決传統机电式HDD的问題，更能强化系統的各項功能指标。
目前忆正的高速SSD已经完成了第一阶段的开发，其SSD产品已经具备了非常高的性能，处于世界领先的水平，且已经开始销售。（大多宣称有高速SSD的公司多部分产品还在实验室中）
忆正目前的产品研发生产分为四个阶段：
第一阶段主要采用的FLASH规格是SLC（Single Layer Cell）
第二阶段产品主要是采用MLC（Multi-Layer Cell） FLASH作为介质，目前SLC比MLC要贵4倍左右，所以采用MLC做SSD则是未来商用的主流，而MLC比SLC在性能及可靠性方面要差很多，这对新的SSD技术提出了更高的技术要求，目前忆正使用MLC FLASH的SSD速度可以达到读写80M/S，产品化的工作正在紧锣密鼓的进行中。
第三阶段主要是开发IC，目前已经在准备各种资料，预计到2008年将研发生产，IC研发出来后，在耗电，成本，体积上将有更大优势。
第四阶段将IC应用不同的领域或开发出不同的应用功能，以至开发出一些特制性产品。
作为一家2006年成立的高新技术企业，忆正将满腔的热情投入到SSD系列产品的研发生产中，希望能领先世界先进水平，为中国的存储事业作出一份贡献。SSD技术是一个全新的开始，未来还有很长的路要走，忆正人将会肩负起这份重担，不断努力，将SSD技术领先到底。
